一、半導(dǎo)體能源轉(zhuǎn)換器件研究中心簡(jiǎn)介
西安交通大學(xué)半導(dǎo)體能源轉(zhuǎn)換器件研究中心（SEED, Center for Semiconductor Energy and Energy-conversion Devices）面向半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展前沿，以半導(dǎo)體電子器件為核心，開(kāi)展高水平的基礎(chǔ)與應(yīng)用研究。通過(guò)整合西安交通大學(xué)相關(guān)學(xué)科資源、強(qiáng)化科研平臺(tái)建設(shè)、引進(jìn)國(guó)際一流人才，逐步發(fā)展成為具有國(guó)際先進(jìn)水平和在國(guó)內(nèi)外有重要影響的研究基地。
1、中心主任
張安平教授，“人才”國(guó)家特聘專(zhuān)家（全職）
2、主要研究方向
（1）SiC、GaN功率器件與電路；
（2）微波、太赫茲器件與電路；
（3）納米電子學(xué)。
3、主要研究條件
（1）約1600平方米可使用的超凈實(shí)驗(yàn)室；
（2）具備器件、電路和材料生長(zhǎng)研究條件，擁有較完整的4英寸工藝線(xiàn)；
（3）完善的器件/電路模擬條件，一流的器件測(cè)試、封裝和可靠性評(píng)估平臺(tái)。
二、人才招聘條件與待遇
招聘全職研究人員2名
（1）應(yīng)聘條件
♦ 在國(guó)內(nèi)外著名高校取得博士學(xué)位，有在國(guó)外著名大學(xué)/研究機(jī)構(gòu)的科研或工作經(jīng)歷。
♦ 以第一作者或通訊作者在一流期刊發(fā)表3篇以上高水平學(xué)術(shù)論文。
♦ 具有良好的學(xué)術(shù)潛力，有獨(dú)立承擔(dān)科研項(xiàng)目的能力。
♦ 優(yōu)秀的中英文交流、表達(dá)能力。
（2）相關(guān)待遇
♦ 根據(jù)個(gè)人資歷可聘為講師、副教授或教授。
♦ 優(yōu)先推薦申報(bào)國(guó)家青年人才或其他人才計(jì)劃。
♦ 講師基礎(chǔ)年薪12萬(wàn)元，副教授18萬(wàn)元，年終可提供相應(yīng)的年度獎(jiǎng)勵(lì)。
♦ 提供科研啟動(dòng)費(fèi)，根據(jù)需要提供相應(yīng)的平臺(tái)建設(shè)經(jīng)費(fèi)。
♦ 在子女入學(xué)等方面享受交大職工同等待遇。
♦ 在出入境、居留、落戶(hù)、醫(yī)療、保險(xiǎn)以及國(guó)際交流等方面提供便利條件。
♦ 其他待遇按照學(xué)校有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。
三．應(yīng)聘方式
應(yīng)聘者請(qǐng)?zhí)峁┍救嗽敿?xì)的電子版簡(jiǎn)歷和三封推薦信。
簡(jiǎn)歷格式任意但應(yīng)包含以下信息：
(1) 教育背景、研究經(jīng)歷和擬從事的研究方向；
(2) 個(gè)人信息，以及家庭狀況的有關(guān)信息；
(3) 自己為第一作者或通訊作者的代表作及其被引用數(shù)（提供文章的復(fù)印件或電子版PDF文件）。
初選合格者將受邀參加評(píng)聘答辯，由本中心支付往返旅費(fèi)和食宿費(fèi)用。
四、聯(lián)系方法
單 位：西安交通大學(xué) 電信工程學(xué)院 半導(dǎo)體能源轉(zhuǎn)換器件（SEED）研究中心
地 址：中國(guó) 陜西 西安 咸寧西路28號(hào) 西安交通大學(xué)電信工程學(xué)院
郵 編：710049
聯(lián)系人：周曉紅
電 話(huà)：15829074847
E_mail: xhzhou0505@mail.xjtu.edu.cn
截至日期：2014-06-30
西安交通大學(xué)半導(dǎo)體能源轉(zhuǎn)換器件研究中心（SEED, Center for Semiconductor Energy and Energy-conversion Devices）面向半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展前沿，以半導(dǎo)體電子器件為核心，開(kāi)展高水平的基礎(chǔ)與應(yīng)用研究。通過(guò)整合西安交通大學(xué)相關(guān)學(xué)科資源、強(qiáng)化科研平臺(tái)建設(shè)、引進(jìn)國(guó)際一流人才，逐步發(fā)展成為具有國(guó)際先進(jìn)水平和在國(guó)內(nèi)外有重要影響的研究基地。
1、中心主任
張安平教授，“人才”國(guó)家特聘專(zhuān)家（全職）
2、主要研究方向
（1）SiC、GaN功率器件與電路；
（2）微波、太赫茲器件與電路；
（3）納米電子學(xué)。
3、主要研究條件
（1）約1600平方米可使用的超凈實(shí)驗(yàn)室；
（2）具備器件、電路和材料生長(zhǎng)研究條件，擁有較完整的4英寸工藝線(xiàn)；
（3）完善的器件/電路模擬條件，一流的器件測(cè)試、封裝和可靠性評(píng)估平臺(tái)。
二、人才招聘條件與待遇
招聘全職研究人員2名
（1）應(yīng)聘條件
♦ 在國(guó)內(nèi)外著名高校取得博士學(xué)位，有在國(guó)外著名大學(xué)/研究機(jī)構(gòu)的科研或工作經(jīng)歷。
♦ 以第一作者或通訊作者在一流期刊發(fā)表3篇以上高水平學(xué)術(shù)論文。
♦ 具有良好的學(xué)術(shù)潛力，有獨(dú)立承擔(dān)科研項(xiàng)目的能力。
♦ 優(yōu)秀的中英文交流、表達(dá)能力。
（2）相關(guān)待遇
♦ 根據(jù)個(gè)人資歷可聘為講師、副教授或教授。
♦ 優(yōu)先推薦申報(bào)國(guó)家青年人才或其他人才計(jì)劃。
♦ 講師基礎(chǔ)年薪12萬(wàn)元，副教授18萬(wàn)元，年終可提供相應(yīng)的年度獎(jiǎng)勵(lì)。
♦ 提供科研啟動(dòng)費(fèi)，根據(jù)需要提供相應(yīng)的平臺(tái)建設(shè)經(jīng)費(fèi)。
♦ 在子女入學(xué)等方面享受交大職工同等待遇。
♦ 在出入境、居留、落戶(hù)、醫(yī)療、保險(xiǎn)以及國(guó)際交流等方面提供便利條件。
♦ 其他待遇按照學(xué)校有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。
三．應(yīng)聘方式
應(yīng)聘者請(qǐng)?zhí)峁┍救嗽敿?xì)的電子版簡(jiǎn)歷和三封推薦信。
簡(jiǎn)歷格式任意但應(yīng)包含以下信息：
(1) 教育背景、研究經(jīng)歷和擬從事的研究方向；
(2) 個(gè)人信息，以及家庭狀況的有關(guān)信息；
(3) 自己為第一作者或通訊作者的代表作及其被引用數(shù)（提供文章的復(fù)印件或電子版PDF文件）。
初選合格者將受邀參加評(píng)聘答辯，由本中心支付往返旅費(fèi)和食宿費(fèi)用。
四、聯(lián)系方法
單 位：西安交通大學(xué) 電信工程學(xué)院 半導(dǎo)體能源轉(zhuǎn)換器件（SEED）研究中心
地 址：中國(guó) 陜西 西安 咸寧西路28號(hào) 西安交通大學(xué)電信工程學(xué)院
郵 編：710049
聯(lián)系人：周曉紅
電 話(huà)：15829074847
E_mail: xhzhou0505@mail.xjtu.edu.cn
截至日期：2014-06-30
為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱(chēng)+姓名+學(xué)歷+專(zhuān)業(yè)+中國(guó)博士人才網(wǎng)）
中國(guó)-博士人才網(wǎng)發(fā)布
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