一、研究方向
氧化鎵超寬禁帶半導體電力電子器件關鍵技術研究
氧化物半導體可穿戴電子器件關鍵技術研究
二、應聘條件（博士后2-3名）
1.具有微電子與固態(tài)電子學、應用物理、材料等博士學位；
2.有興趣從事寬禁帶氧化物半導體材料、器件工藝、芯片研發(fā)工作；
3.具有扎實的專業(yè)基礎、豐富的實驗經驗、嚴謹的科學素養(yǎng)、獨立開展科研和撰寫科研論文的能力；在國際期刊以第一作者身份發(fā)表過高水平科研論文；
4.善于溝通，工作認真，責任心強，動手能力強并具有團隊合作精神；
5.年齡35周歲以下；獲得博士學位一般不超過3年。
三、福利待遇
1）博士后基礎年薪40萬；
2）根據具體科研工作業(yè)績提供相應的科研績效獎勵；
3）研究中心為博士后提供科研經費支持、以及優(yōu)良的工作和辦公環(huán)境；
4）研究中心為博士后提供學術交流資費；
5）研究中心全力支持博士后作為負責人申請博士后科學基金、國家自然科學基金以及廣東省各級課題；
6）符合中山大學高層次引進人才要求的優(yōu)秀人才，將推薦為中山大學百人計劃引進人才候選人；
四、聯系方式
本招聘廣告長期有效，有意請將申請材料（個人簡歷和代表性論文）發(fā)至裴艷麗教授電子郵箱（peiyanli@mail.sysu.edu.cn），發(fā)信請注明“寬禁帶半導體材料與器件工程技術研究中心應聘”。
五、研究中心簡介
研究中心瞄準國際最新科學前沿和關鍵科學技術問題，開展寬禁帶半導體材料與器件的先導性基礎研究和應用層面的技術研究，并建設開放、支撐產業(yè)發(fā)展的產學研合作平臺，面向國家和產業(yè)重大需求，整合全球資源，為民族工業(yè)提供產業(yè)化關鍵技術。研究中心依托于中山大學光電材料與技術國家重點實驗室，針對電力電子領域，展開寬禁帶氧化物半導體、氮化物半導體的外延生長、高頻、大功率芯片加工工藝、封裝等新原理及新技術開拓研究；針對穿戴電子、顯示領域，展開寬禁帶氧化物半導體印刷制備、高性能晶體管工藝研發(fā)�，F有研究隊伍人數20人，其中包括教授6名，副教授和副研究員4名，博士后1名。其中“教育部新世紀人才計劃入選者1名”、“科技部863重大項目總體專家1名”�？蒲袌F隊的學科背景涵蓋凝聚態(tài)物理、材料物理、理論物理、光學、化學、微電子、分析測試等方面。
研究中心具備世界一流的科研環(huán)境，擁有近1500平方米的潔凈實驗室場地，擁有5臺國際一流的MOCVD外延生長設備，3臺用于氧化物半導體的外延生長，2臺用于氮化物半導體外延生長；另一臺MBE從事氧化物材料研發(fā)；擁有包括光刻機、電子束蒸鍍、ICP刻蝕、濺射等設備在內的一條完整的工藝線和封裝線；擁有半導體參數測試系統(tǒng)兩套分別用于高功率和低功率器件表征，以及各種材料表征設備，設備總資產過億。主要在研項目包括國家重點研發(fā)計劃2項，廣東省第三代半導體重大研發(fā)項目3項，廣東省應用型研發(fā)專項2項，以及國家自然科學基金項目5項，廣東省產學研項目等。“工程中心”非常重視自主知識產權的形成和保護，已經申請專利253項，其中126項已獲得授權。在國內外重要學術期刊上已經發(fā)表論文180余篇。
六、合作導師簡介
裴艷麗教授：中山大學電子與信息學院百人計劃引進人才，教授，博士生導師；寬禁帶半導體材料與器件工程技術研究中心主任
2003年獲浙江大學硅材料國家重點實驗室碩士學位。2006年末獲日本廣島大學半導體集成工學博士學位。2007年4月受聘于日本東北大學國際高等教育研究機構國際高等融合領域研究所，任助理教授。其間，負責或承擔了多項日本文部省和日本科技振興會的項目。2011年5月作為中山大學·百人計劃引進人才加入中山大學，現為中山大學電子與信息工程學院教授，博士生導師，寬禁帶半導體材料與器件工程技術研究中心主任。主要從事寬禁帶氧化物半導體光電器件以及集成方面的研究與開發(fā)。在高遷移率氧化物半導體薄膜晶體管、氧化物半導體透明電極及其應用，氧化鎵寬禁帶半導體外延、器件工藝，基于金屬氧化物的存儲與計算融合憶阻器等方面積累了大量的研究成果和經驗。先后主持了國家自然科學基金委項目、廣東省重大研究項目、企業(yè)委托項目等多項科研項目，并作為主要負責人參與了國家自然科學基金重點項目、國家863項目、廣東省新型研發(fā)專項等多項科研項目。近五年發(fā)表SCI論文30幾篇，授權專利7項。
王鋼教授：中山大學電子與信息工程學院教授，博士研究生導師；佛山市中山大學研究院院長；教育部2007年度新世紀優(yōu)秀人才支持計劃入選者，科技部“十一五”、“十二五”國家科技重點專項（半導體照明專項）總體專家組專家
2001年畢業(yè)于日本名古屋工業(yè)大學，獲得博士學位，主要從事與GaAs，
GaN基III-V族化合物半導體材料的MOCVD生長與相關光電子器件制作方面的研究工作。
2001年4月至2004年4月，就職于日本富士通量子器件公司，主要從事應用10Gp/s，40Gp/s超高速光通信系統(tǒng)的InP基光電二極管芯片與探測器模塊的研究開發(fā)工作。
2004年5月至今，作為中山大學“百人計劃”二層次引進人才，受聘于中山大學光電材料與技術國家重點實驗室，從事III-V族化合物半導體材料及相關元器件制備技術方面的研究、教學工作，教育部2007年度新世紀優(yōu)秀人才支持計劃入選者、科技部正式聘請的“十一五”“十二五”國家科技重點專項（半導體照明專項）總體專家組專家、廣東省材料研究學會第二屆理事會理事、廣東省電器照明協會半導體照明專業(yè)委員會主任、廣東省LED光源標準化技術委員會副主任委員、廣東半導體照明工程省部產學研創(chuàng)新聯盟理事長。2013年被日本名古屋工業(yè)大學聘為該校日本極微器件系統(tǒng)機能研究中心外部評審委員。
目前，已累計承擔了多項產學研合作重大橫向課題，以項目第一負責人承擔的橫向課題項目金額超過1340萬元，為中山大學的產學研合作做出了突出貢獻。積極發(fā)揮自己的學術影響力，幫助中山大學成功地從海外陸續(xù)引進到到崗“百人計劃”人才三位，為學校的半導體學科和人才建設做出了突出貢獻。自2007年12月擔任佛山市中山大學研究院院長以來，領導團隊在人才隊伍建設、實驗室建設以及產學研項目合作等方面開展了出色工作，為佛山市半導體照明企業(yè)的技術進步提供了重要支撐，并于2009年12月獲得“2008年度南海區(qū)科技創(chuàng)新團隊獎”，2010年被科學中國人雜志社評為“科學中國人（2010）年度人物”，2012年被授予“佛山市南海區(qū)高層次人才（一級）”稱號，2013年被日本名古屋工業(yè)大學聘為該校日本極微器件系統(tǒng)機能研究中心外部評審委員，被中國產學研合作促進會授予“產學研合作創(chuàng)新獎”。
迄今為止，共申請專利191項，其中發(fā)明專利152項，累計已授權專利達93項。在國內外重要學術刊物上發(fā)表論文107篇，多次參加國內外重要學術會議，并作邀請報告。累計承擔各類科研項目67項，包括863、火炬計劃、國家自然科學基金、省戰(zhàn)略新興產業(yè)項目等。
 

為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網）