一、研究方向
氧化鎵超寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)研究
氧化物半導(dǎo)體可穿戴電子器件關(guān)鍵技術(shù)研究
二、應(yīng)聘條件（博士后2-3名）
1.具有微電子與固態(tài)電子學(xué)、應(yīng)用物理、材料等博士學(xué)位；
2.有興趣從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料、器件工藝、芯片研發(fā)工作；
3.具有扎實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)、豐富的實(shí)驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)素養(yǎng)、獨(dú)立開展科研和撰寫科研論文的能力；在國際期刊以第一作者身份發(fā)表過高水平科研論文；
4.善于溝通，工作認(rèn)真，責(zé)任心強(qiáng)，動(dòng)手能力強(qiáng)并具有團(tuán)隊(duì)合作精神；
5.年齡35周歲以下；獲得博士學(xué)位一般不超過3年。
三、福利待遇
1）博士后基礎(chǔ)年薪40萬；
2）根據(jù)具體科研工作業(yè)績提供相應(yīng)的科研績效獎(jiǎng)勵(lì)；
3）研究中心為博士后提供科研經(jīng)費(fèi)支持、以及優(yōu)良的工作和辦公環(huán)境；
4）研究中心為博士后提供學(xué)術(shù)交流資費(fèi)；
5）研究中心全力支持博士后作為負(fù)責(zé)人申請(qǐng)博士后科學(xué)基金、國家自然科學(xué)基金以及廣東省各級(jí)課題；
6）符合中山大學(xué)高層次引進(jìn)人才要求的優(yōu)秀人才，將推薦為中山大學(xué)百人計(jì)劃引進(jìn)人才候選人；
四、聯(lián)系方式
本招聘廣告長期有效，有意請(qǐng)將申請(qǐng)材料（個(gè)人簡歷和代表性論文）發(fā)至裴艷麗教授電子郵箱（peiyanli@mail.sysu.edu.cn），發(fā)信請(qǐng)注明“寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件工程技術(shù)研究中心應(yīng)聘”。
五、研究中心簡介
研究中心瞄準(zhǔn)國際最新科學(xué)前沿和關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，開展寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的先導(dǎo)性基礎(chǔ)研究和應(yīng)用層面的技術(shù)研究，并建設(shè)開放、支撐產(chǎn)業(yè)發(fā)展的產(chǎn)學(xué)研合作平臺(tái)，面向國家和產(chǎn)業(yè)重大需求，整合全球資源，為民族工業(yè)提供產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。研究中心依托于中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，針對(duì)電力電子領(lǐng)域，展開寬禁帶氧化物半導(dǎo)體、氮化物半導(dǎo)體的外延生長、高頻、大功率芯片加工工藝、封裝等新原理及新技術(shù)開拓研究；針對(duì)穿戴電子、顯示領(lǐng)域，展開寬禁帶氧化物半導(dǎo)體印刷制備、高性能晶體管工藝研發(fā)�，F(xiàn)有研究隊(duì)伍人數(shù)20人，其中包括教授6名，副教授和副研究員4名，博士后1名。其中“教育部新世紀(jì)人才計(jì)劃入選者1名”、“科技部863重大項(xiàng)目總體專家1名”。科研團(tuán)隊(duì)的學(xué)科背景涵蓋凝聚態(tài)物理、材料物理、理論物理、光學(xué)、化學(xué)、微電子、分析測試等方面。
研究中心具備世界一流的科研環(huán)境，擁有近1500平方米的潔凈實(shí)驗(yàn)室場地，擁有5臺(tái)國際一流的MOCVD外延生長設(shè)備，3臺(tái)用于氧化物半導(dǎo)體的外延生長，2臺(tái)用于氮化物半導(dǎo)體外延生長；另一臺(tái)MBE從事氧化物材料研發(fā)；擁有包括光刻機(jī)、電子束蒸鍍、ICP刻蝕、濺射等設(shè)備在內(nèi)的一條完整的工藝線和封裝線；擁有半導(dǎo)體參數(shù)測試系統(tǒng)兩套分別用于高功率和低功率器件表征，以及各種材料表征設(shè)備，設(shè)備總資產(chǎn)過億。主要在研項(xiàng)目包括國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2項(xiàng)，廣東省第三代半導(dǎo)體重大研發(fā)項(xiàng)目3項(xiàng)，廣東省應(yīng)用型研發(fā)專項(xiàng)2項(xiàng)，以及國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目5項(xiàng)，廣東省產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目等。“工程中心”非常重視自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的形成和保護(hù)，已經(jīng)申請(qǐng)專利253項(xiàng)，其中126項(xiàng)已獲得授權(quán)。在國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)期刊上已經(jīng)發(fā)表論文180余篇。
六、合作導(dǎo)師簡介
裴艷麗教授：中山大學(xué)電子與信息學(xué)院百人計(jì)劃引進(jìn)人才，教授，博士生導(dǎo)師；寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件工程技術(shù)研究中心主任
2003年獲浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室碩士學(xué)位。2006年末獲日本廣島大學(xué)半導(dǎo)體集成工學(xué)博士學(xué)位。2007年4月受聘于日本東北大學(xué)國際高等教育研究機(jī)構(gòu)國際高等融合領(lǐng)域研究所，任助理教授。其間，負(fù)責(zé)或承擔(dān)了多項(xiàng)日本文部省和日本科技振興會(huì)的項(xiàng)目。2011年5月作為中山大學(xué)·百人計(jì)劃引進(jìn)人才加入中山大學(xué)，現(xiàn)為中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件工程技術(shù)研究中心主任。主要從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體光電器件以及集成方面的研究與開發(fā)。在高遷移率氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體透明電極及其應(yīng)用，氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體外延、器件工藝，基于金屬氧化物的存儲(chǔ)與計(jì)算融合憶阻器等方面積累了大量的研究成果和經(jīng)驗(yàn)。先后主持了國家自然科學(xué)基金委項(xiàng)目、廣東省重大研究項(xiàng)目、企業(yè)委托項(xiàng)目等多項(xiàng)科研項(xiàng)目，并作為主要負(fù)責(zé)人參與了國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、國家863項(xiàng)目、廣東省新型研發(fā)專項(xiàng)等多項(xiàng)科研項(xiàng)目。近五年發(fā)表SCI論文30幾篇，授權(quán)專利7項(xiàng)。
王鋼教授：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院教授，博士研究生導(dǎo)師；佛山市中山大學(xué)研究院院長；教育部2007年度新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃入選者，科技部“十一五”、“十二五”國家科技重點(diǎn)專項(xiàng)（半導(dǎo)體照明專項(xiàng)）總體專家組專家
2001年畢業(yè)于日本名古屋工業(yè)大學(xué)，獲得博士學(xué)位，主要從事與GaAs，
GaN基III-V族化合物半導(dǎo)體材料的MOCVD生長與相關(guān)光電子器件制作方面的研究工作。
2001年4月至2004年4月，就職于日本富士通量子器件公司，主要從事應(yīng)用10Gp/s，40Gp/s超高速光通信系統(tǒng)的InP基光電二極管芯片與探測器模塊的研究開發(fā)工作。
2004年5月至今，作為中山大學(xué)“百人計(jì)劃”二層次引進(jìn)人才，受聘于中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，從事III-V族化合物半導(dǎo)體材料及相關(guān)元器件制備技術(shù)方面的研究、教學(xué)工作，教育部2007年度新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃入選者、科技部正式聘請(qǐng)的“十一五”“十二五”國家科技重點(diǎn)專項(xiàng)（半導(dǎo)體照明專項(xiàng)）總體專家組專家、廣東省材料研究學(xué)會(huì)第二屆理事會(huì)理事、廣東省電器照明協(xié)會(huì)半導(dǎo)體照明專業(yè)委員會(huì)主任、廣東省LED光源標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)副主任委員、廣東半導(dǎo)體照明工程省部產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)盟理事長。2013年被日本名古屋工業(yè)大學(xué)聘為該校日本極微器件系統(tǒng)機(jī)能研究中心外部評(píng)審委員。
目前，已累計(jì)承擔(dān)了多項(xiàng)產(chǎn)學(xué)研合作重大橫向課題，以項(xiàng)目第一負(fù)責(zé)人承擔(dān)的橫向課題項(xiàng)目金額超過1340萬元，為中山大學(xué)的產(chǎn)學(xué)研合作做出了突出貢獻(xiàn)。積極發(fā)揮自己的學(xué)術(shù)影響力，幫助中山大學(xué)成功地從海外陸續(xù)引進(jìn)到到崗“百人計(jì)劃”人才三位，為學(xué)校的半導(dǎo)體學(xué)科和人才建設(shè)做出了突出貢獻(xiàn)。自2007年12月?lián)畏鹕绞兄猩酱髮W(xué)研究院院長以來，領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)在人才隊(duì)伍建設(shè)、實(shí)驗(yàn)室建設(shè)以及產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目合作等方面開展了出色工作，為佛山市半導(dǎo)體照明企業(yè)的技術(shù)進(jìn)步提供了重要支撐，并于2009年12月獲得“2008年度南海區(qū)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)獎(jiǎng)”，2010年被科學(xué)中國人雜志社評(píng)為“科學(xué)中國人（2010）年度人物”，2012年被授予“佛山市南海區(qū)高層次人才（一級(jí)）”稱號(hào)，2013年被日本名古屋工業(yè)大學(xué)聘為該校日本極微器件系統(tǒng)機(jī)能研究中心外部評(píng)審委員，被中國產(chǎn)學(xué)研合作促進(jìn)會(huì)授予“產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新獎(jiǎng)”。
迄今為止，共申請(qǐng)專利191項(xiàng)，其中發(fā)明專利152項(xiàng)，累計(jì)已授權(quán)專利達(dá)93項(xiàng)。在國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文107篇，多次參加國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)會(huì)議，并作邀請(qǐng)報(bào)告。累計(jì)承擔(dān)各類科研項(xiàng)目67項(xiàng)，包括863、火炬計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金、省戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目等。
氧化鎵超寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)研究
氧化物半導(dǎo)體可穿戴電子器件關(guān)鍵技術(shù)研究
二、應(yīng)聘條件（博士后2-3名）
1.具有微電子與固態(tài)電子學(xué)、應(yīng)用物理、材料等博士學(xué)位；
2.有興趣從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料、器件工藝、芯片研發(fā)工作；
3.具有扎實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)、豐富的實(shí)驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)素養(yǎng)、獨(dú)立開展科研和撰寫科研論文的能力；在國際期刊以第一作者身份發(fā)表過高水平科研論文；
4.善于溝通，工作認(rèn)真，責(zé)任心強(qiáng)，動(dòng)手能力強(qiáng)并具有團(tuán)隊(duì)合作精神；
5.年齡35周歲以下；獲得博士學(xué)位一般不超過3年。
三、福利待遇
1）博士后基礎(chǔ)年薪40萬；
2）根據(jù)具體科研工作業(yè)績提供相應(yīng)的科研績效獎(jiǎng)勵(lì)；
3）研究中心為博士后提供科研經(jīng)費(fèi)支持、以及優(yōu)良的工作和辦公環(huán)境；
4）研究中心為博士后提供學(xué)術(shù)交流資費(fèi)；
5）研究中心全力支持博士后作為負(fù)責(zé)人申請(qǐng)博士后科學(xué)基金、國家自然科學(xué)基金以及廣東省各級(jí)課題；
6）符合中山大學(xué)高層次引進(jìn)人才要求的優(yōu)秀人才，將推薦為中山大學(xué)百人計(jì)劃引進(jìn)人才候選人；
四、聯(lián)系方式
本招聘廣告長期有效，有意請(qǐng)將申請(qǐng)材料（個(gè)人簡歷和代表性論文）發(fā)至裴艷麗教授電子郵箱（peiyanli@mail.sysu.edu.cn），發(fā)信請(qǐng)注明“寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件工程技術(shù)研究中心應(yīng)聘”。
五、研究中心簡介
研究中心瞄準(zhǔn)國際最新科學(xué)前沿和關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，開展寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的先導(dǎo)性基礎(chǔ)研究和應(yīng)用層面的技術(shù)研究，并建設(shè)開放、支撐產(chǎn)業(yè)發(fā)展的產(chǎn)學(xué)研合作平臺(tái)，面向國家和產(chǎn)業(yè)重大需求，整合全球資源，為民族工業(yè)提供產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。研究中心依托于中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，針對(duì)電力電子領(lǐng)域，展開寬禁帶氧化物半導(dǎo)體、氮化物半導(dǎo)體的外延生長、高頻、大功率芯片加工工藝、封裝等新原理及新技術(shù)開拓研究；針對(duì)穿戴電子、顯示領(lǐng)域，展開寬禁帶氧化物半導(dǎo)體印刷制備、高性能晶體管工藝研發(fā)�，F(xiàn)有研究隊(duì)伍人數(shù)20人，其中包括教授6名，副教授和副研究員4名，博士后1名。其中“教育部新世紀(jì)人才計(jì)劃入選者1名”、“科技部863重大項(xiàng)目總體專家1名”。科研團(tuán)隊(duì)的學(xué)科背景涵蓋凝聚態(tài)物理、材料物理、理論物理、光學(xué)、化學(xué)、微電子、分析測試等方面。
研究中心具備世界一流的科研環(huán)境，擁有近1500平方米的潔凈實(shí)驗(yàn)室場地，擁有5臺(tái)國際一流的MOCVD外延生長設(shè)備，3臺(tái)用于氧化物半導(dǎo)體的外延生長，2臺(tái)用于氮化物半導(dǎo)體外延生長；另一臺(tái)MBE從事氧化物材料研發(fā)；擁有包括光刻機(jī)、電子束蒸鍍、ICP刻蝕、濺射等設(shè)備在內(nèi)的一條完整的工藝線和封裝線；擁有半導(dǎo)體參數(shù)測試系統(tǒng)兩套分別用于高功率和低功率器件表征，以及各種材料表征設(shè)備，設(shè)備總資產(chǎn)過億。主要在研項(xiàng)目包括國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2項(xiàng)，廣東省第三代半導(dǎo)體重大研發(fā)項(xiàng)目3項(xiàng)，廣東省應(yīng)用型研發(fā)專項(xiàng)2項(xiàng)，以及國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目5項(xiàng)，廣東省產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目等。“工程中心”非常重視自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的形成和保護(hù)，已經(jīng)申請(qǐng)專利253項(xiàng)，其中126項(xiàng)已獲得授權(quán)。在國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)期刊上已經(jīng)發(fā)表論文180余篇。
六、合作導(dǎo)師簡介
裴艷麗教授：中山大學(xué)電子與信息學(xué)院百人計(jì)劃引進(jìn)人才，教授，博士生導(dǎo)師；寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件工程技術(shù)研究中心主任
2003年獲浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室碩士學(xué)位。2006年末獲日本廣島大學(xué)半導(dǎo)體集成工學(xué)博士學(xué)位。2007年4月受聘于日本東北大學(xué)國際高等教育研究機(jī)構(gòu)國際高等融合領(lǐng)域研究所，任助理教授。其間，負(fù)責(zé)或承擔(dān)了多項(xiàng)日本文部省和日本科技振興會(huì)的項(xiàng)目。2011年5月作為中山大學(xué)·百人計(jì)劃引進(jìn)人才加入中山大學(xué)，現(xiàn)為中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件工程技術(shù)研究中心主任。主要從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體光電器件以及集成方面的研究與開發(fā)。在高遷移率氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體透明電極及其應(yīng)用，氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體外延、器件工藝，基于金屬氧化物的存儲(chǔ)與計(jì)算融合憶阻器等方面積累了大量的研究成果和經(jīng)驗(yàn)。先后主持了國家自然科學(xué)基金委項(xiàng)目、廣東省重大研究項(xiàng)目、企業(yè)委托項(xiàng)目等多項(xiàng)科研項(xiàng)目，并作為主要負(fù)責(zé)人參與了國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、國家863項(xiàng)目、廣東省新型研發(fā)專項(xiàng)等多項(xiàng)科研項(xiàng)目。近五年發(fā)表SCI論文30幾篇，授權(quán)專利7項(xiàng)。
王鋼教授：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院教授，博士研究生導(dǎo)師；佛山市中山大學(xué)研究院院長；教育部2007年度新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃入選者，科技部“十一五”、“十二五”國家科技重點(diǎn)專項(xiàng)（半導(dǎo)體照明專項(xiàng)）總體專家組專家
2001年畢業(yè)于日本名古屋工業(yè)大學(xué)，獲得博士學(xué)位，主要從事與GaAs，
GaN基III-V族化合物半導(dǎo)體材料的MOCVD生長與相關(guān)光電子器件制作方面的研究工作。
2001年4月至2004年4月，就職于日本富士通量子器件公司，主要從事應(yīng)用10Gp/s，40Gp/s超高速光通信系統(tǒng)的InP基光電二極管芯片與探測器模塊的研究開發(fā)工作。
2004年5月至今，作為中山大學(xué)“百人計(jì)劃”二層次引進(jìn)人才，受聘于中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，從事III-V族化合物半導(dǎo)體材料及相關(guān)元器件制備技術(shù)方面的研究、教學(xué)工作，教育部2007年度新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃入選者、科技部正式聘請(qǐng)的“十一五”“十二五”國家科技重點(diǎn)專項(xiàng)（半導(dǎo)體照明專項(xiàng)）總體專家組專家、廣東省材料研究學(xué)會(huì)第二屆理事會(huì)理事、廣東省電器照明協(xié)會(huì)半導(dǎo)體照明專業(yè)委員會(huì)主任、廣東省LED光源標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)副主任委員、廣東半導(dǎo)體照明工程省部產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)盟理事長。2013年被日本名古屋工業(yè)大學(xué)聘為該校日本極微器件系統(tǒng)機(jī)能研究中心外部評(píng)審委員。
目前，已累計(jì)承擔(dān)了多項(xiàng)產(chǎn)學(xué)研合作重大橫向課題，以項(xiàng)目第一負(fù)責(zé)人承擔(dān)的橫向課題項(xiàng)目金額超過1340萬元，為中山大學(xué)的產(chǎn)學(xué)研合作做出了突出貢獻(xiàn)。積極發(fā)揮自己的學(xué)術(shù)影響力，幫助中山大學(xué)成功地從海外陸續(xù)引進(jìn)到到崗“百人計(jì)劃”人才三位，為學(xué)校的半導(dǎo)體學(xué)科和人才建設(shè)做出了突出貢獻(xiàn)。自2007年12月?lián)畏鹕绞兄猩酱髮W(xué)研究院院長以來，領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)在人才隊(duì)伍建設(shè)、實(shí)驗(yàn)室建設(shè)以及產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目合作等方面開展了出色工作，為佛山市半導(dǎo)體照明企業(yè)的技術(shù)進(jìn)步提供了重要支撐，并于2009年12月獲得“2008年度南海區(qū)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)獎(jiǎng)”，2010年被科學(xué)中國人雜志社評(píng)為“科學(xué)中國人（2010）年度人物”，2012年被授予“佛山市南海區(qū)高層次人才（一級(jí)）”稱號(hào)，2013年被日本名古屋工業(yè)大學(xué)聘為該校日本極微器件系統(tǒng)機(jī)能研究中心外部評(píng)審委員，被中國產(chǎn)學(xué)研合作促進(jìn)會(huì)授予“產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新獎(jiǎng)”。
迄今為止，共申請(qǐng)專利191項(xiàng)，其中發(fā)明專利152項(xiàng)，累計(jì)已授權(quán)專利達(dá)93項(xiàng)。在國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文107篇，多次參加國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)會(huì)議，并作邀請(qǐng)報(bào)告。累計(jì)承擔(dān)各類科研項(xiàng)目67項(xiàng)，包括863、火炬計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金、省戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目等。
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