招聘單位
工學(xué)院/深港微電子學(xué)院
崗位職責(zé)
1.與合作導(dǎo)師共同制定研究課題,開(kāi)展科研工作并發(fā)表高水平學(xué)術(shù)論文;
2.以負(fù)責(zé)人的身份積極申請(qǐng)國(guó)家自然科學(xué)基金及其他省、市級(jí)項(xiàng)目;
3.協(xié)助PI撰寫(xiě)基金、協(xié)助指導(dǎo)研究生。
招聘介紹
研究領(lǐng)域:
1.MicroBumping及RDL先進(jìn)封裝生產(chǎn)線
2.在waferbonding,TSV,2.5Dinterposer領(lǐng)域培育高精度異質(zhì)集成,Bumpless,FAN-OUT工藝制程
3.先進(jìn)封裝:
倒裝封裝、扇出封裝、GaN微波RF封裝、Chiplet&3D封裝、異構(gòu)集成封裝、芯片散熱、晶圓-晶圓鍵合
4.材料的模擬和計(jì)算
薪酬福利
1.聘期兩年,年薪不低于30萬(wàn)(含省市補(bǔ)貼);來(lái)后表現(xiàn)優(yōu)異可酌情申請(qǐng)各種補(bǔ)貼。按照深圳市有關(guān)規(guī)定享受基本養(yǎng)老保險(xiǎn)、基本醫(yī)療保險(xiǎn)、失業(yè)保險(xiǎn)、工傷保險(xiǎn)、生育保險(xiǎn)、住房公積金及住房補(bǔ)貼待遇;享受過(guò)節(jié)費(fèi)、每月餐補(bǔ)、高溫補(bǔ)貼、免費(fèi)體檢等福利待遇。
2.學(xué)校為每位博士后提供2.5萬(wàn)元的學(xué)術(shù)交流資助。
3.博士后出站后可申請(qǐng)深圳市的30萬(wàn)元出站科研資助;如果留深工作,符合條件者可獲得深圳市高層次人才購(gòu)房補(bǔ)貼160-200萬(wàn)元;如果成功申請(qǐng)到廣東省特支計(jì)劃再加50萬(wàn)個(gè)人補(bǔ)貼。
4.對(duì)于符合最新《深圳市新引進(jìn)人才租房和生活補(bǔ)貼》相關(guān)政策要求的博士后,在深圳落戶后,可申請(qǐng)深圳市一次性租房和生活補(bǔ)貼3萬(wàn)元(免稅,自行網(wǎng)上申請(qǐng))。
5.更多博士后項(xiàng)目及基金介紹請(qǐng)參考https://mp.weixin.qq.com/s/K0rO0y8bwThfK4M7QyTlxg
應(yīng)聘材料
1.本人簡(jiǎn)歷(請(qǐng)包括:出生年月、從大學(xué)起教育背景、工作經(jīng)歷、科研成果、通訊地址及聯(lián)系電話等,并附近照);
2.能充分反映本人學(xué)術(shù)水平的有關(guān)材料,如:代表性論文、獲獎(jiǎng)情況、主要承擔(dān)課題或工程情況、以及未來(lái)研究計(jì)劃等;
3.提供2-3封推薦信及推薦人的詳細(xì)聯(lián)系方式。
應(yīng)聘流程
需要面試
應(yīng)聘條件——學(xué)歷要求
博士研究生
崗位要求
1.獲得國(guó)內(nèi)外知名高校微電子、材料、物理、化學(xué)等專業(yè)博士學(xué)位;
2.有良好的英語(yǔ)寫(xiě)作能力,已發(fā)表不少于3篇本專業(yè)領(lǐng)域權(quán)威學(xué)術(shù)論文;
3.具有獨(dú)立開(kāi)展科研工作的能力,認(rèn)同南科大的發(fā)展理念,有團(tuán)隊(duì)合作精神,恪守學(xué)術(shù)道德;
4.熟悉半導(dǎo)體及集成電路研究領(lǐng)域,有至少一種芯片封裝的研究開(kāi)發(fā)經(jīng)歷者優(yōu)先;
5.有下列領(lǐng)域研究經(jīng)歷者優(yōu)先考慮:芯片封裝的散熱,扇出封裝、小芯片異構(gòu)封裝集成等三維封裝,及GaN功率放大器。
6.依據(jù)最新發(fā)布的《國(guó)務(wù)院辦公廳關(guān)于改革完善博士后制度的意見(jiàn)》規(guī)定,博士后入站年齡須在35周歲以下,獲得博士學(xué)位一般不超過(guò)三年。
備注
有意者請(qǐng)將簡(jiǎn)歷、學(xué)術(shù)水平材料、推薦信等相關(guān)應(yīng)聘材料發(fā)送至:zhangy38@mail.sustech.edu.cn(張老師),郵件標(biāo)題以“應(yīng)聘博士后+姓名+合作導(dǎo)師姓名”命名。
信息來(lái)源于網(wǎng)絡(luò),如有變更請(qǐng)以原發(fā)布者為準(zhǔn)。
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