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復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心張清純教授課題組2022年1月招收全職博士后

時(shí)間:2022-01-19來(lái)源:中國(guó)博士人才網(wǎng) 作者:佚名

復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心張清純教授課題組招收全職博士后

【課題組介紹】

為加快實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略,由復(fù)旦大學(xué)與華大半導(dǎo)體聯(lián)合申報(bào)的上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心于2020年2月被上海市科委批準(zhǔn)建立。中心通過(guò)與半導(dǎo)體器件生產(chǎn)和電力電子應(yīng)用企業(yè)緊密合作,致力于研發(fā)基于寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體,特別是碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料為核心的新型功率器件、工藝和模塊,加速下一代寬禁帶半導(dǎo)體功率電子的廣泛應(yīng)用。工程中心將致力創(chuàng)建具備國(guó)際領(lǐng)先水平的寬禁帶材料缺陷研究、器件制造工藝開發(fā)、元器件設(shè)計(jì)、模塊封裝以及可靠性測(cè)試、先進(jìn)電力電子技術(shù)創(chuàng)新開放平臺(tái)及高層次工程技術(shù)型人才培養(yǎng)中心和產(chǎn)業(yè)化輻射中心。中心成立以來(lái),已承擔(dān)多項(xiàng)寬禁帶功率器件和模塊重大項(xiàng)目,包括和龍頭企業(yè)研發(fā)碳化硅器件的特色新工藝、與國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開發(fā)超高壓碳化硅器件和封裝、參與多項(xiàng)省市科技重大專項(xiàng)等。中心正在積極建設(shè)寬禁帶半導(dǎo)體工藝研發(fā)創(chuàng)新平臺(tái)(復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶材料與器件研究所),和國(guó)際知名企業(yè)共建創(chuàng)新中心和研究院。中心現(xiàn)有教授/研究員10人,其中特聘教授5人,副教授/青年研究員15人,超級(jí)博士后2人。中心招收寬禁帶半導(dǎo)體物理與器件、半導(dǎo)體材料與集成電路、微納器件系統(tǒng)集成、器件及可靠性測(cè)試、電力電子技術(shù)等方向的物理電子學(xué)碩士、博士研究生。

中心負(fù)責(zé)人張清純教授,現(xiàn)任復(fù)旦大學(xué)特聘教授,博士生導(dǎo)師,上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任,復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所所長(zhǎng),復(fù)旦大學(xué)工程與應(yīng)用技術(shù)研究院寬禁帶半導(dǎo)體與超越照明研究所副所長(zhǎng),專長(zhǎng)于寬禁帶半導(dǎo)體物理與器件的教學(xué)、科研、應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化,長(zhǎng)期從事SiC器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,是該領(lǐng)域國(guó)際知名專家。迄今已撰寫100余篇科技論文和SiC器件領(lǐng)域?qū)V;多次受邀在?guó)際碳化硅、功率半導(dǎo)體的學(xué)術(shù)會(huì)議上作大會(huì)報(bào)告;作為第一和合作發(fā)明人,擁有100多項(xiàng)美國(guó)及國(guó)際專利;多次擔(dān)任ISPSD技術(shù)委員會(huì)成員和碳化硅器件分會(huì)主席;曾任國(guó)際電力電子技術(shù)路線圖研討會(huì)聯(lián)合主席等。

因研究工作需要,針對(duì)以下方向招聘博士后數(shù)名:

1)寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與缺陷表征技術(shù)

2)寬帶半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)、先進(jìn)制造工藝及器件可靠性評(píng)價(jià)

3)超寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及工藝研究

4)高頻高功率先進(jìn)封裝技術(shù)與可靠性測(cè)試

【職位要求】

1)已獲得或即將獲得微電子、電力電子器件與應(yīng)用、半導(dǎo)體物理與材料、半導(dǎo)體制造裝備、材料科學(xué)與工程等相關(guān)專業(yè)的博士學(xué)位,具有扎實(shí)的理論基礎(chǔ)和較強(qiáng)動(dòng)手實(shí)踐能力,至少具備相關(guān)領(lǐng)域一項(xiàng)相關(guān)研發(fā)經(jīng)驗(yàn);

2)能獨(dú)立開展研究工作,并具有優(yōu)秀的團(tuán)隊(duì)合作精神,尤其是從事交叉性學(xué)科研究的能力,且具有優(yōu)秀的動(dòng)手能力和主動(dòng)性;

3)具有良好的英語(yǔ)讀寫能力,可以獨(dú)立撰寫研究論文,具有功率半導(dǎo)體領(lǐng)域出色研發(fā)經(jīng)歷將獲得優(yōu)先考慮。

【工作職責(zé)】

在實(shí)驗(yàn)室PI的指導(dǎo)下完成相關(guān)課題研究,并協(xié)助指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)室研究生的培養(yǎng)工作。

【薪酬待遇】

1)薪資待遇參照復(fù)旦大學(xué)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),博士后公寓和子女入學(xué)等按照學(xué)校相關(guān)政策執(zhí)行,課題組根據(jù)個(gè)人業(yè)績(jī)發(fā)放績(jī)效,優(yōu)秀應(yīng)聘者待遇從優(yōu)。

2)提供優(yōu)越的科研條件和穩(wěn)定的支持,鼓勵(lì)博士后按照國(guó)家和地方相關(guān)政策申報(bào)博士后基金等各項(xiàng)基金。

3)鼓勵(lì)參加國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)會(huì)議,提供與國(guó)內(nèi)外高水平實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行學(xué)術(shù)交流的機(jī)會(huì)。

請(qǐng)應(yīng)聘者提供個(gè)人簡(jiǎn)歷,博士學(xué)位論文摘要,發(fā)表論文目錄和1-3篇代表作全文,以及其他可以證明本人能力和學(xué)術(shù)水平的相關(guān)資料,發(fā)送至:Qingchun_zhang@fudan.edu.cn,郵件請(qǐng)注明“應(yīng)聘博士后 ”。實(shí)驗(yàn)室將擇優(yōu)通知面試,并提供住宿和往返車費(fèi),博后待遇從優(yōu),詳情面談。

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http://www.hr.fudan.edu.cn/93/28/c15369a430888/page.htm

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