院系/所/中心(School) | 碳基電子學(xué)研究中心 |
合作導(dǎo)師(Mentor) | 陳榮梅;聯(lián)合導(dǎo)師張志勇、彭練矛 |
研究專(zhuān)業(yè)/方向(Department/Area) | 數(shù)字、模擬芯片設(shè)計(jì),半導(dǎo)體器件 |
年薪標(biāo)準(zhǔn)(Annual Salary) |
研究團(tuán)隊(duì)將為優(yōu)秀人才提供一流的科研條件、先進(jìn)的儀器設(shè)備、國(guó)內(nèi)外一流研究機(jī)構(gòu)的交流機(jī)會(huì)和多元的發(fā)展方向;支持和鼓勵(lì)各類(lèi)基金和研究經(jīng)費(fèi)申請(qǐng)。 1.基本待遇(包括五險(xiǎn)一金、博士后住房補(bǔ)貼/博士后公寓等)按北京大學(xué)博士后流動(dòng)站相關(guān)規(guī)定執(zhí)行;根據(jù)北京市博士后管理政策辦理有關(guān)落戶事宜。 2.條件優(yōu)異者鼓勵(lì)申請(qǐng)國(guó)家“博新計(jì)劃”等博士后項(xiàng)目或北京大學(xué)“博雅博士后”項(xiàng)目,參考北大博士后網(wǎng)站:https://postdocs.pku.edu.cn/index.htm 3.課題組還根據(jù)申請(qǐng)者的個(gè)人水平以及入站后參與的項(xiàng)目情況,論文發(fā)表情況,給予額外績(jī)效獎(jiǎng)勵(lì)。 |
職位描述(Position Description) |
從事碳基芯片設(shè)計(jì)、三維集成電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件-工藝建模的研究工作,以及參與或者負(fù)責(zé)相關(guān)的研究項(xiàng)目; 博后在站評(píng)估為優(yōu)秀者,課題組全力支持申請(qǐng)者申請(qǐng)北京大學(xué)助理研究員、特聘副研究員等職位。 |
候選人基本條件(Basic Qualifications) |
1.具有數(shù)字或者模擬集成電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn); 2.或者芯片工藝、加工和測(cè)試經(jīng)驗(yàn); 3.或者半導(dǎo)體器件建模仿真; 4.年齡不超過(guò)35周歲,獲得博士學(xué)位不超過(guò)3年。 |
候選人附加條件(Additional Qualifications) | 較強(qiáng)的英文閱讀能力 |
申請(qǐng)材料(Applicant Documents) | 個(gè)人簡(jiǎn)歷,包括:完整的學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷、主要研究工作內(nèi)容、代表論文論著清單 |
聯(lián)系人(Contact Information) | 郵件地址:crm@pku.edu.cn郵件標(biāo)題:博后申請(qǐng)+姓名+畢業(yè)學(xué)校 |
備注(Remark) |
主要合作導(dǎo)師與課題組簡(jiǎn)介: 陳榮梅,北京大學(xué)電子學(xué)院研究員,博士生導(dǎo)師,助理教授,博雅青年學(xué)者。2019~2023年任歐洲微電子研究中心長(zhǎng)聘高級(jí)研究員。累計(jì)發(fā)表國(guó)際期刊和會(huì)議論文60多篇,包括Nature Electronics、IEDM/VLSI/ISSCC微電子和集成電路三大頂級(jí)會(huì)議。研究成果受到斯坦福大學(xué)、臺(tái)積電、英特爾、谷歌、高通等關(guān)注。研究工作多次獲得歐洲微電子研究中心、歐洲主流科技媒體和IEEE Spectrum雜志的亮點(diǎn)報(bào)道。主持國(guó)家級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目(兩項(xiàng))、國(guó)家海外高層次青年人才項(xiàng)目、國(guó)自然面上、華為技術(shù)創(chuàng)新等項(xiàng)目。曾獲國(guó)家海外高層次青年人才、歐盟瑪麗居里獎(jiǎng)金、VLSI 2022大會(huì)技術(shù)亮點(diǎn)文章、清華大學(xué)優(yōu)秀博士學(xué)位論文等榮譽(yù)。 課題組網(wǎng)站:https://crm-prcc.github.io 聯(lián)合合作導(dǎo)師簡(jiǎn)介: 張志勇,北京大學(xué)博雅特聘教授,電子學(xué)院教授,博士生導(dǎo)師。納米器件物理與化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任,碳基電子學(xué)研究中心副主任。主要從事碳基納米電子學(xué)方面的研究,探索基于碳納米管的CMOS集成電路、傳感器和其他新型信息器件技術(shù),并推進(jìn)碳基信息器件技術(shù)的實(shí)用化發(fā)展。在Science,Nature Electronics與Physical Review Letters等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表SCI論文200余篇,被引用12000余次,H因子57。部分工作獲得中國(guó)高校十大科技進(jìn)展、國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)(2/5)、教育部自然科學(xué)一等獎(jiǎng)(2/8)、中國(guó)科學(xué)十大進(jìn)展、中國(guó)半導(dǎo)體十大進(jìn)展。獲得中國(guó)青年科技獎(jiǎng)、茅以升北京青年科技獎(jiǎng)。曾入選國(guó)家萬(wàn)人計(jì)劃-科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、萬(wàn)人計(jì)劃-青年拔尖人才計(jì)劃、國(guó)家基金委杰出青年科學(xué)基金和優(yōu)秀青年科學(xué)基金。 彭練矛,中國(guó)科學(xué)院院士,北京大學(xué)電子學(xué)院教授,院長(zhǎng)。長(zhǎng)期從事碳基電子學(xué)領(lǐng)域的研究,做出一系列基礎(chǔ)性和開(kāi)拓性貢獻(xiàn)。在Science、Nature等期刊發(fā)表SCI論文400余篇。相關(guān)成果獲國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)(2010和2016年)、入選中國(guó)科學(xué)十大進(jìn)展(2011年,2023年)、中國(guó)高等學(xué)校十大科技進(jìn)展(2000和2017年)、中國(guó)基礎(chǔ)科學(xué)研究十大新聞(2000年)。個(gè)人獲何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)(2018年)、全國(guó)創(chuàng)新?tīng)?zhēng)先獎(jiǎng)(2017年)等。 |
截止時(shí)間(Due Date) | 長(zhǎng)期有效 |
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