中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所擁有優(yōu)秀的研究隊伍、科研平臺和教學(xué)基地。物理研究--半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室;材料研究--中科院半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室;光電子器件研究--集成光電子學(xué)國家重點實驗室、國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程技術(shù)研究中心、半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室、中科院固態(tài)光電信息技術(shù)重點實驗室以及納米光電子、全固態(tài)光源和光電系統(tǒng)實驗室;半導(dǎo)體工藝平臺-半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心并牽頭北京信息電子大型儀器區(qū)域中心;特色微電子-高速電路、生物醫(yī)療、基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的芯片及系統(tǒng)等。半導(dǎo)體所是中國科學(xué)院半導(dǎo)體材料與光電子器件卓越創(chuàng)新中心的依托單位,中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院的主辦單位,材料科學(xué)與工程入選國家一流學(xué)科。在相關(guān)研究領(lǐng)域已取得一系列重大原創(chuàng)性成果,近年來獲得國家自然科學(xué)獎、國家科技進步獎等多項獎勵,黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學(xué)技術(shù)獎。
根據(jù)戰(zhàn)略發(fā)展需要,現(xiàn)誠邀海內(nèi)外優(yōu)秀科技人才加入半導(dǎo)體所。
一、主要研究方向
半導(dǎo)體物理與器件物理研究;先進半導(dǎo)體材料及應(yīng)用;半導(dǎo)體光電子器件及集成;半導(dǎo)體微納結(jié)構(gòu)與器件;高功率全固態(tài)激光及應(yīng)用;人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與智能芯片;半導(dǎo)體激光傳感與成像;其他半導(dǎo)體新興研究領(lǐng)域。
二、招聘崗位
(一)優(yōu)秀人才A類崗位
1.崗位要求
(1)原則上年齡不超過50周歲。
(2)海外申請人應(yīng)具有在海外知名科研機構(gòu)、高;虼笮推髽I(yè)研發(fā)機構(gòu)等擔(dān)任教授或相當(dāng)崗位的任職經(jīng)歷。特別優(yōu)秀或急需者,可放寬至副教授或相當(dāng)崗位的任職經(jīng)歷。
國內(nèi)申請人應(yīng)具有在國內(nèi)知名科研機構(gòu)、高;虼笮推髽I(yè)研發(fā)機構(gòu)等擔(dān)任教授或相當(dāng)崗位的任職經(jīng)歷,是國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域優(yōu)秀的學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人。
(3)引進后需全職到崗工作。
2.崗位待遇
(1)聘任為研究員、博士生導(dǎo)師,協(xié)助建立研究團隊;
(2)600萬元科研啟動經(jīng)費,100萬元安居補助;
(3)提供有競爭力的薪酬待遇;
(4)提供科研所需的辦公和實驗用房;
(5)優(yōu)先安排人才公寓或周轉(zhuǎn)房;
(6)協(xié)助解決子女入學(xué)。
(二)優(yōu)秀人才B類崗位
1.崗位要求
(1)原則上年齡不超過40周歲。
(2)申請人應(yīng)具有取得博士學(xué)位后在海外知名科研機構(gòu)、高;虼笮推髽I(yè)研發(fā)機構(gòu)連續(xù)不少于3年(含)的科研工作經(jīng)歷(在海外取得博士學(xué)位且特別優(yōu)秀或急需者,海外工作年限可適當(dāng)放寬)。
海外申請人通過國家或單位派出赴海外學(xué)習(xí)工作的,申請項目時應(yīng)妥善處理與原派出單位人事和經(jīng)濟關(guān)系。
國內(nèi)申請人應(yīng)具有取得博士學(xué)位后在知名科研機構(gòu)、高校或大型企業(yè)研發(fā)機構(gòu)不少于3年(含)的科研工作經(jīng)歷,或具有擔(dān)任副教授或相當(dāng)崗位的任職經(jīng)歷。國內(nèi)申請人應(yīng)為院外單位人員或已履行不少于一個聘期合同的院特別研究助理。
(3)引進后需全職到崗工作。
2.崗位待遇
通過研究所招聘后全職到崗的B類崗位人才,可享受如下待遇:
(1)聘為副研究員一級,享受研究員四級的崗位津貼;
(2)50萬元科研啟動經(jīng)費;
(3)提供有競爭力的薪酬待遇;
(4)提供科研所需的辦公和實驗用房;
(5)優(yōu)先安排人才公寓或周轉(zhuǎn)房;
(6)協(xié)助解決子女入學(xué)。
通過擇優(yōu)正式入選院級相關(guān)人才項目的B類崗位人才,可增加如下待遇:
(1)聘為研究員,博士生導(dǎo)師,協(xié)助建立研究團隊;
(2)150萬元科研經(jīng)費,60萬元安居補助。
三、申請程序
1.歡迎來電來信咨詢,并將填寫完整的崗位申請表、已取得的代表性成果證明材料、今后的工作計劃和團隊建設(shè)計劃等發(fā)送至:zhaopin@semi.ac.cn;
2.候選人受邀來所答辯,研究所給予國際差旅補貼;
3.通過答辯的申請人與半導(dǎo)體所簽訂工作意向協(xié)議書/聘用合同,依托半導(dǎo)體所申報院級人才計劃。
四、聯(lián)系方式
地址:北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(郵編:100083)
聯(lián)系人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所人事處吳穹
郵箱:zhaopin@semi.ac.cn,郵件標(biāo)題注明:應(yīng)聘某某崗位+本人姓名 。
電話:86-10-82304192
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至:boshijob@126.com(郵件標(biāo)題格式:應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng))
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