一、應(yīng)聘崗位
崗位1、光學(xué)合束與光學(xué)工程
要求具有如下研究或工作背景，具有非常好的溝通和合作能力，具有強(qiáng)烈的進(jìn)取心。且發(fā)表至少2篇JCR二區(qū)及以上文章：
1.有空間合束、光譜合束和相干合束研究經(jīng)驗(yàn)；
2.有光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)和關(guān)鍵器件選型，能獨(dú)立開展設(shè)計(jì)、出圖、裝調(diào)、測試等系列經(jīng)驗(yàn)；
3.熟練使用專業(yè)相關(guān)軟件，如光學(xué)設(shè)計(jì)軟件（Zemax，CodeV等），圖像數(shù)據(jù)分析軟件（Matlab）等；
4.熟練掌握Solid Works/ProE等結(jié)構(gòu)繪圖軟件，能夠進(jìn)行光路結(jié)構(gòu)繪制。
崗位2、光子態(tài)調(diào)控理論與實(shí)驗(yàn)
要求具有如下研究或工作背景，具有非常好的溝通和合作能力，具有強(qiáng)烈的進(jìn)取心。且發(fā)表至少2篇JCR二區(qū)及以上文章：
1.熟悉宇稱-時(shí)間對(duì)稱理論或奇點(diǎn)光學(xué)理論；
2.熟悉拓?fù)涔庾訉W(xué)建�；蛲�?fù)淠軒в?jì)算；
3.熟悉光子連續(xù)域束縛態(tài)理論及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；
4.光子晶體或光學(xué)超構(gòu)材料或新型半導(dǎo)體激光器的研究經(jīng)歷。
崗位3、圖形襯底外延材料生長
要求具有如下研究或工作背景，具有非常好的溝通和合作能力，具有強(qiáng)烈的進(jìn)取心。且發(fā)表至少2篇JCR二區(qū)及以上文章：
1.GaAs基或者InP基圖形襯底MOCVD外延材料生長及測試；
2.As/P基MOCVD設(shè)備維護(hù)；
3.GaAs基或者InP基半導(dǎo)體材料及微納結(jié)構(gòu)制備；
4.半導(dǎo)體激光二極管工藝及器件；
5.半導(dǎo)體光電子器件設(shè)計(jì)與原理。
崗位4、新型高性能光電子材料與器件
要求具有如下研究或工作背景，具有非常好的溝通和合作能力，具有強(qiáng)烈的進(jìn)取心。且發(fā)表至少2篇JCR二區(qū)及以上文章：
1、具有從事光電子材料與器件研究工作經(jīng)驗(yàn)5年以上；
2、熟練掌握光電子器件的研制工藝，所研制的器件水平處于國際領(lǐng)先水平；
3、有深厚的物理基礎(chǔ)，具有開拓進(jìn)取能力，對(duì)相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展方向把握準(zhǔn)確；
二、相關(guān)待遇
1.博士后經(jīng)聘用后，對(duì)符合申請(qǐng)條件的優(yōu)秀全職在站博士后納入“中科院特別研究助理“的管理，推薦其進(jìn)行“博士后創(chuàng)新人才計(jì)劃”和相關(guān)項(xiàng)目的申請(qǐng)。
2.享受全國博管會(huì)關(guān)于博士后的相關(guān)優(yōu)惠政策。
3.研究組為研究人員提供國際先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備平臺(tái)及科研環(huán)境。
4.年薪45萬-60萬（發(fā)表1篇JCR一區(qū)文章，發(fā)表2篇JCR二區(qū)文章，申請(qǐng)專利3項(xiàng)）
三、申請(qǐng)材料
1.請(qǐng)應(yīng)聘者準(zhǔn)備以下相關(guān)文件：
2.申請(qǐng)信或個(gè)人陳述；
3.個(gè)人簡歷（包括學(xué)術(shù)經(jīng)歷，研究技能，英語水平，獲獎(jiǎng)情況）；
4.代表性論文論著清單；
5.推薦人姓名，目前單位及聯(lián)系方式（如有）。
以上材料合并成一個(gè)PDF文檔發(fā)送至whzheng@semi.ac.cn，郵件標(biāo)題請(qǐng)注明“應(yīng)聘博士后（特別研究助理）+崗位名稱+姓名 ”，并留下聯(lián)系方式。通過初選者將電話通知面試時(shí)間，未通知面試者不再另行通知。
原文出處：
http://lab.semi.ac.cn/yanjiusheng/contents/1335/146653.html
為防止簡歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
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