材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗(yàn)室是瞄準(zhǔn)國家實(shí)驗(yàn)室建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)和國際一流水平，服務(wù)國家重大工程戰(zhàn)略需求，立足蘇州現(xiàn)有科研基礎(chǔ)與發(fā)展要求，集聚國內(nèi)外創(chuàng)新資源，與科研院所、高等院校、龍頭企業(yè)協(xié)同建設(shè)的新型的研發(fā)機(jī)構(gòu)。目前注冊為蘇州市事業(yè)法人，已獲批準(zhǔn)為首批“江蘇省實(shí)驗(yàn)室”，正在爭取成為省級科研單位。實(shí)驗(yàn)室坐落在蘇州工業(yè)園區(qū)，總部規(guī)劃用地不少于500畝，10年建設(shè)資金總額200億元。
姑蘇實(shí)驗(yàn)室以獨(dú)立法人事業(yè)單位實(shí)體化運(yùn)行，實(shí)行理事會領(lǐng)導(dǎo)下的實(shí)驗(yàn)室主任負(fù)責(zé)制�；�“組織支撐流程，流程支撐業(yè)務(wù)”的理念設(shè)立組織模塊，創(chuàng)新實(shí)踐“主建”和“主戰(zhàn)”相結(jié)合的矩陣式管理理念，探索符合科技創(chuàng)新規(guī)律和市場經(jīng)濟(jì)規(guī)律，引領(lǐng)未來科技、產(chǎn)業(yè)發(fā)展與國際接軌的各類新型管理體制機(jī)制。
姑蘇實(shí)驗(yàn)室的建設(shè)目標(biāo)是緊扣材料科學(xué)領(lǐng)域中的國家重大戰(zhàn)略需求、區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展重大需求以及未來科技革命的前沿技術(shù)“三大重點(diǎn)”，以突破國家重大戰(zhàn)略需求、攻克區(qū)域產(chǎn)業(yè)重大技術(shù)瓶頸、解決行業(yè)重大科技問題為使命，通過五年左右的一期建設(shè)，集聚1000名以上的科研、技術(shù)及管理人才，建成具有國際一流水平的材料研發(fā)、分析表征、仿真模擬等公共平臺，突破一批材料科學(xué)領(lǐng)域核心基礎(chǔ)科學(xué)問題和關(guān)鍵共性技術(shù)問題；通過二期建設(shè)，到2030年，姑蘇實(shí)驗(yàn)室力爭躋身世界一流材料實(shí)驗(yàn)室行列，成為具有全球影響力的國際化創(chuàng)新策源地、國家材料戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新基地。
歡迎全球有志于電子信息材料、能源環(huán)境材料、生命健康材料等研究領(lǐng)域的優(yōu)秀才俊加盟，共同致力于材料領(lǐng)域的科研創(chuàng)新！
②崗位描述和應(yīng)聘條件
③相關(guān)待遇
（一）薪資待遇：協(xié)議年薪25萬起，成功進(jìn)站工作者額外獲得2年18萬生活補(bǔ)貼。
（二）人才項(xiàng)目：實(shí)驗(yàn)室支持符合條件的博士后進(jìn)站人員競爭性申報(bào)國家“博新計(jì)劃”、國際交流計(jì)劃引進(jìn)項(xiàng)目、博士后基金站前特別資助等。
（三）職稱評定：在站期間可參與申報(bào)自然科學(xué)研究系列職稱。
（四）科研項(xiàng)目：按照相關(guān)規(guī)定，申請國家、省市各類科研項(xiàng)目。
（五）在職培訓(xùn)：提供相關(guān)專業(yè)與技術(shù)能力培訓(xùn)的機(jī)會。
（六）其他福利：高標(biāo)準(zhǔn)繳納五險(xiǎn)一金、年度體檢、節(jié)日福利等。
④應(yīng)聘材料及方式
1.基本材料：應(yīng)聘登記表、簡歷、學(xué)歷/學(xué)位證書、身份證復(fù)印件等；
2.證明材料：文章列表、發(fā)明專利、獲獎(jiǎng)證書復(fù)印件等相關(guān)證明本人能力及水平的證明材料；
3.請將上述材料以“項(xiàng)目研究方向+姓名 ”命名發(fā)送至郵箱：hrzp@gusulab.ac.cn。
4.姑蘇實(shí)驗(yàn)室官方網(wǎng)站：www.gusulab.ac.cn。
材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗(yàn)室，期待海內(nèi)外人才共創(chuàng)事業(yè)！
來源：
http://www.gusulab.ac.cn/recruit/workTwo/workXiao/202106/t20210615_1260.html
姑蘇實(shí)驗(yàn)室以獨(dú)立法人事業(yè)單位實(shí)體化運(yùn)行，實(shí)行理事會領(lǐng)導(dǎo)下的實(shí)驗(yàn)室主任負(fù)責(zé)制�；�“組織支撐流程，流程支撐業(yè)務(wù)”的理念設(shè)立組織模塊，創(chuàng)新實(shí)踐“主建”和“主戰(zhàn)”相結(jié)合的矩陣式管理理念，探索符合科技創(chuàng)新規(guī)律和市場經(jīng)濟(jì)規(guī)律，引領(lǐng)未來科技、產(chǎn)業(yè)發(fā)展與國際接軌的各類新型管理體制機(jī)制。
姑蘇實(shí)驗(yàn)室的建設(shè)目標(biāo)是緊扣材料科學(xué)領(lǐng)域中的國家重大戰(zhàn)略需求、區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展重大需求以及未來科技革命的前沿技術(shù)“三大重點(diǎn)”，以突破國家重大戰(zhàn)略需求、攻克區(qū)域產(chǎn)業(yè)重大技術(shù)瓶頸、解決行業(yè)重大科技問題為使命，通過五年左右的一期建設(shè)，集聚1000名以上的科研、技術(shù)及管理人才，建成具有國際一流水平的材料研發(fā)、分析表征、仿真模擬等公共平臺，突破一批材料科學(xué)領(lǐng)域核心基礎(chǔ)科學(xué)問題和關(guān)鍵共性技術(shù)問題；通過二期建設(shè)，到2030年，姑蘇實(shí)驗(yàn)室力爭躋身世界一流材料實(shí)驗(yàn)室行列，成為具有全球影響力的國際化創(chuàng)新策源地、國家材料戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新基地。
歡迎全球有志于電子信息材料、能源環(huán)境材料、生命健康材料等研究領(lǐng)域的優(yōu)秀才俊加盟，共同致力于材料領(lǐng)域的科研創(chuàng)新！
②崗位描述和應(yīng)聘條件
| 序號 | 項(xiàng)目研究方向 | 招聘人數(shù) | 專業(yè)方向 | 候選人基本條件 |
| 1 |
超導(dǎo)量子器件（器件工藝開發(fā)） （G201&202) |
3 | 半導(dǎo)體、微電子 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、有較強(qiáng)的微納加工基礎(chǔ)，熟練掌握版圖設(shè)計(jì)、紫外光刻、電子束曝光、薄膜生長、刻蝕、封裝等工藝，有硅基和III-V半導(dǎo)體器件、超導(dǎo)電子器件的加工經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先； 3、溝通能力強(qiáng)，具有合作精神，能夠獨(dú)立承擔(dān)器件研究和工藝開發(fā)工作； 4、有良好的英文閱讀和寫作能力。 |
| 2 |
超導(dǎo)量子器件（量子器件設(shè)計(jì)及測控） （G201&202) |
7 | 物理、微電子、微波工程、電子信息技術(shù) |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、有固態(tài)量子器件設(shè)計(jì)、測控和分析經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先； 3、深入理解量子電動力學(xué)或量子光學(xué)，了解開放量子系統(tǒng)理論，熟悉低溫測試系統(tǒng)。 |
| 3 |
超導(dǎo)量子器件（材料微波損耗測試） （G201&202) |
3 | 物理、電子信息技術(shù)、材料、微波 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、具備三年以上微波工程、微波器件設(shè)計(jì)、器件電磁場模擬及測試相關(guān)工作經(jīng)歷； 3、深入理解材料微波損耗機(jī)理； 4、有微波器件設(shè)計(jì)及微波損耗測試經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先 |
| 4 |
超導(dǎo)量子器件（固態(tài)量子芯片退相干微觀機(jī)理研究） （G201&202) |
2 | 物理、電子信息技術(shù)、材料、微波 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、具備三年以上材料微觀物性研究、及測試相關(guān)工作經(jīng)歷，有較強(qiáng)的量子器件及量子材料功底，精通前沿的高精密量子器件表征，如STM/AFM表征、電子自旋共振表征、鉆石NV色心探針表征、ScanningSQUID表征等； 3、深入理解材料微波損耗機(jī)理； 4、有微波器件設(shè)計(jì)及微波損耗測試經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先 |
| 5 |
高精度動態(tài)三維智能視覺芯片與系統(tǒng)核心技術(shù)開發(fā) （G203） |
6 | 計(jì)算機(jī)、通信、自動化等相關(guān)專業(yè) |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、有較好數(shù)學(xué)基礎(chǔ)，較強(qiáng)的圖像處理算法設(shè)計(jì)能力； 3、在計(jì)算成像、圖像處理等領(lǐng)域具有相關(guān)研究成果或開發(fā)經(jīng)驗(yàn)； 4、較強(qiáng)的論文檢索，英文專業(yè)文獻(xiàn)閱讀能力； 5、了解雙目、結(jié)構(gòu)光、ToF等一種或者多種技術(shù)者優(yōu)先。 |
| 6 |
MOCVD/MBE外延與器件驗(yàn)證 （G2101） |
3 | 半導(dǎo)體材料生長、半導(dǎo)體光電子器件、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、材料學(xué)、物理學(xué)、真空技術(shù)等相關(guān)專業(yè)； |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、了解并熟悉掌握MOCVD/MBE設(shè)備研發(fā)制造及生長技術(shù)； 3、根據(jù)外延材料測試與下游器件的結(jié)果反饋，進(jìn)行外延工藝的優(yōu)化與改進(jìn)； 4、對MBE外延產(chǎn)品分析檢測，數(shù)據(jù)分析，形成報(bào)告和技術(shù)文檔； 5、熟悉外延產(chǎn)品知識和相關(guān)應(yīng)用，熟練操作所負(fù)責(zé)的儀器和軟件，能獨(dú)立設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)和分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果； 6、熟悉了解外延片各類表征手段，如XRD，PL，ECV，AFM等，同時(shí)根據(jù)要求的材料結(jié)構(gòu)研發(fā)和編寫外延生長工藝 |
| 7 |
基于超表面的光譜調(diào)制結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) （G2102） |
1 | 材料、電子、微電、精儀等 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、微電子、電子工程、半導(dǎo)體物理、材料等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷，研究生階段從事過光子晶體、超材料方面的研究。 3、有較好的數(shù)理基礎(chǔ)，能深刻理解微納結(jié)構(gòu)與電磁波的相互作用，熟練使用FDTD、Rsoft、RCWA等進(jìn)行電磁波仿真。 4、根據(jù)公司業(yè)務(wù)需求，完成微納結(jié)構(gòu)的仿真設(shè)計(jì)，配合測試結(jié)果優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。 5、熟練使用TannerTool或klayout等版圖設(shè)計(jì)軟件者優(yōu)先，有一定的代碼能力者優(yōu)先 |
| 8 |
快速高精度光譜重建算法研究 (G2102) |
1 | 材料、電子、微電、精儀等 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、數(shù)學(xué)、計(jì)算機(jī)等相關(guān)專業(yè)，具備扎實(shí)的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)和數(shù)據(jù)處理經(jīng)驗(yàn)； 3、熟悉并可以應(yīng)用多種機(jī)器學(xué)習(xí)模型。包括但不限于線性模型、樹模型、概率圖模型、聚類模型、深度學(xué) 習(xí)模型、多任務(wù)學(xué)習(xí)、遷移學(xué)習(xí)、強(qiáng)化學(xué)習(xí)、整數(shù)規(guī)劃算法、VRP算法（其中若干種即可）； 4、熟練掌握python和C++; 5、有算法部署經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先; 6、責(zé)任心強(qiáng)，善于學(xué)習(xí)新事物，有較強(qiáng)的分析問題和解決問題的能力。 |
| 9 |
融合人工智能的材料結(jié)構(gòu)搜索策略和方法 （G2103） |
1 | 計(jì)算材料學(xué)&人工智能 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、熟悉C++,Python等；熟悉主流的開源深度學(xué)習(xí)框架如PyTorch,TensorFlow等；如有遺傳算法、粒子群算法經(jīng)驗(yàn)更佳。 |
| 10 |
高精度超高帶寬量子比特讀取技術(shù) （G2113) |
1 | 物理電子學(xué)/電子學(xué)相關(guān)專業(yè) |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、具備高速模擬電路設(shè)計(jì)、FPGA程序設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn) |
| 11 |
退役動力電池材料回收與再生 （G2116） |
4 | 選礦，濕法冶金，材料（新能源材料），化工，LCA，有機(jī)合成，生物合成專業(yè) |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、具備深厚的電化學(xué)/鋰電材料合成/測控、智能識別/選礦/濕法冶金的理論知識； 3、能夠獨(dú)立開展研究平臺搭建和開展課題研究； |
| 12 |
晶圓級微透鏡陣列光學(xué)芯片 （G2118) |
1 | 自動化 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、具有3年以上微納加工（光刻、刻蝕、SEM檢測）經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;3、精通衍射光學(xué)，微納光子學(xué)理論基礎(chǔ)和設(shè)計(jì)技巧，具有實(shí)際設(shè)計(jì)的成功經(jīng)驗(yàn); 4、熟悉相關(guān)的微納加工技術(shù)，了解相關(guān)的核心設(shè)備型號和操作規(guī)程，并了解制作過程所需材料; 5、精通光刻、納米壓印、電鍍、印刷、精通薄膜等技術(shù)，并能熟練使用日常分析及檢測儀器。 |
| 13 |
晶圓級微透鏡陣列光學(xué)芯片 （G2118) |
1 | 微電子與固體電子學(xué) |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、至少熟練掌握Matlab編程語言，簡歷必須包含以Matlab語言撰寫的代碼內(nèi)容，熟練掌握C/C++或Python等編程語言者更佳； 3、有扎實(shí)的傅里葉變換、概率論、線性代數(shù)功底（相關(guān)課程成績優(yōu)秀）； 4、熟悉數(shù)字信號處理、統(tǒng)計(jì)信號處理、陣列信號處理、雷達(dá)者優(yōu)先考慮。 |
| 14 |
連續(xù)噴墨打印技術(shù)研究 （G2120) |
6 | 電子工程、自動化、機(jī)械工程，材料，電子，微電，物理 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、具有MEMS器件、PZT壓電薄膜制備、傳感器件（Sensor）、制動器件（Actuator）或其他半導(dǎo)體器件研究基礎(chǔ)和經(jīng)驗(yàn)； 3、熟悉常見的MEMS芯片制備工藝：光刻、深硅刻蝕、鍵合等； 4、較強(qiáng)的論文檢索，英文專業(yè)文獻(xiàn)閱讀和撰寫能力。 |
| 15 |
OLED/QLED顯示材料的設(shè)計(jì)合成與開發(fā) （G2120) |
6 | 有機(jī)/物理化學(xué)/高分子化學(xué)；微電；材料；光學(xué) |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、有扎實(shí)的有機(jī)分子材料設(shè)計(jì)與合成的基礎(chǔ)和經(jīng)驗(yàn)； 3、具有3年以上的OLED/QLED或其它有機(jī)光電器件的研究經(jīng)歷； 4、較強(qiáng)的論文檢索，英文專業(yè)文獻(xiàn)閱讀和撰寫能力。 |
| 16 |
半導(dǎo)體工業(yè)級在線式X射線光電子能譜的關(guān)鍵技術(shù)研究 （微聚焦電子束（10微米級別、動態(tài)掃描）、光電子調(diào)制檢測） （G2121) |
2 | 真空電子學(xué) |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、有較好物理基礎(chǔ)； 3、在磁偏轉(zhuǎn)電子束、電子透鏡等領(lǐng)域具有相關(guān)研究成果或開發(fā)經(jīng)驗(yàn)； 4、較強(qiáng)的論文檢索，英文專業(yè)文獻(xiàn)閱讀能力； 5、有XPS使用維護(hù)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。 |
| 17 |
半導(dǎo)體工業(yè)級在線式X射線光電子能譜的關(guān)鍵技術(shù)研究 （X射線單色化調(diào)制） （G2121) |
1 | 光學(xué) |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、有較好光學(xué)基礎(chǔ)； 3、在光束聚焦等領(lǐng)域具有相關(guān)研究成果或開發(fā)經(jīng)驗(yàn)； 4、較強(qiáng)的論文檢索，英文專業(yè)文獻(xiàn)閱讀能力； |
| 18 |
半導(dǎo)體工業(yè)級在線式X射線光電子能譜的關(guān)鍵技術(shù)研究 （自動化控制） （G2121) |
1 | 自動化 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、有較好自動化基礎(chǔ)； 3、在儀器自動化領(lǐng)域具有相關(guān)研究成果或開發(fā)經(jīng)驗(yàn)； 4、較強(qiáng)的論文檢索，英文專業(yè)文獻(xiàn)閱讀能力； |
| 19 |
半導(dǎo)體工業(yè)級在線式X射線光電子能譜的關(guān)鍵技術(shù)研究 （數(shù)據(jù)分析反饋） （G2121) |
1 | 計(jì)算機(jī)，人工智能 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、有較好計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)，較強(qiáng)的算法設(shè)計(jì)能力； 3、在大數(shù)據(jù)、人工智能等領(lǐng)域具有相關(guān)研究成果或開發(fā)經(jīng)驗(yàn)； 4、較強(qiáng)的論文檢索，英文專業(yè)文獻(xiàn)閱讀能力； |
| 20 |
AlGaN深紫外LED外延生長、AlGaN深紫外LED器件工藝 （G2122） |
4 | 半導(dǎo)體材料與器件、光電子 |
1、國內(nèi)外著名大學(xué)博士學(xué)位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內(nèi)； 2、具有化合物半導(dǎo)體材料外延生長、光電子或功率電子器件的研究背景； 3、了解相關(guān)領(lǐng)域國內(nèi)外最新研究進(jìn)展，具有扎實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)知識和實(shí)驗(yàn)技能、及較強(qiáng)的英語讀寫能力，在前期學(xué)習(xí)/工作過程中做出同行認(rèn)可的成績； 4、具有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作精神、責(zé)任心和獨(dú)立開展工作的能力，動手能力強(qiáng)，認(rèn)真細(xì)心，踏實(shí)肯干，善于溝通，有意長期從事氮化物半導(dǎo)體材料與光電子器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工作； 5、具有AlGaN基深紫外LED材料MOCVD外延生長或芯片工藝研發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮。 |
③相關(guān)待遇
（一）薪資待遇：協(xié)議年薪25萬起，成功進(jìn)站工作者額外獲得2年18萬生活補(bǔ)貼。
（二）人才項(xiàng)目：實(shí)驗(yàn)室支持符合條件的博士后進(jìn)站人員競爭性申報(bào)國家“博新計(jì)劃”、國際交流計(jì)劃引進(jìn)項(xiàng)目、博士后基金站前特別資助等。
（三）職稱評定：在站期間可參與申報(bào)自然科學(xué)研究系列職稱。
（四）科研項(xiàng)目：按照相關(guān)規(guī)定，申請國家、省市各類科研項(xiàng)目。
（五）在職培訓(xùn)：提供相關(guān)專業(yè)與技術(shù)能力培訓(xùn)的機(jī)會。
（六）其他福利：高標(biāo)準(zhǔn)繳納五險(xiǎn)一金、年度體檢、節(jié)日福利等。
④應(yīng)聘材料及方式
1.基本材料：應(yīng)聘登記表、簡歷、學(xué)歷/學(xué)位證書、身份證復(fù)印件等；
2.證明材料：文章列表、發(fā)明專利、獲獎(jiǎng)證書復(fù)印件等相關(guān)證明本人能力及水平的證明材料；
3.請將上述材料以“項(xiàng)目研究方向+姓名 ”命名發(fā)送至郵箱：hrzp@gusulab.ac.cn。
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