實(shí)驗(yàn)室圍繞光電信息科技與產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,布局戰(zhàn)略性先進(jìn)光電材料、新型照明與顯示、高速通訊與感知等三大研究方向,實(shí)現(xiàn)光電信息產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)自主可控,建成光電信息領(lǐng)域國際一流的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)創(chuàng)造高地和高層次人才培養(yǎng)基地,為推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展超越、促進(jìn)光電信息產(chǎn)業(yè)集群跨越式發(fā)展和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級(jí)提供強(qiáng)有力科技支撐。
任意晶向自支撐大尺寸多孔GaN單晶襯底制備及應(yīng)用項(xiàng)目致力于全新多孔GaN襯底制備技術(shù)的開發(fā),解決GaN晶向調(diào)控與器件外延界面應(yīng)力國際難題,并降低襯底缺陷密度,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)化。根據(jù)工作需要,項(xiàng)目組擬招聘以下崗位:
一、招聘需求
崗位名稱 | 招聘人數(shù) | 崗位職責(zé) | 崗位要求 |
外延研發(fā)工程師 | 1 |
1、使用氮化設(shè)備及外延生長設(shè)備進(jìn)行氮化鎵單晶襯底外延生長技術(shù)的研發(fā)及相關(guān)設(shè)備的工藝調(diào)試;氮化鎵基器件應(yīng)用設(shè)計(jì)。 2、對(duì)生長材料進(jìn)行測(cè)試表征并能夠分析數(shù)據(jù),對(duì)生長工藝進(jìn)行調(diào)試和改進(jìn); 3、參與實(shí)驗(yàn)室建設(shè)和運(yùn)營管理; 4、參與科研資料的撰寫整理。 |
1、在半導(dǎo)體物理、材料、化學(xué)、光電子、微電子等相關(guān)領(lǐng)域具有博士學(xué)位; 2、熟悉半導(dǎo)體材料外延生長、半導(dǎo)體光電子等相關(guān)專業(yè)知識(shí); 3、工作踏實(shí),積極主動(dòng),擅于學(xué)習(xí),富有團(tuán)隊(duì)精神; 4、熟悉外延設(shè)備操作,具有五年以上氮化鎵基器件研發(fā)工作經(jīng)驗(yàn)。 |
1.薪酬待遇:執(zhí)行實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬和績(jī)效標(biāo)準(zhǔn)。
2.人才政策:實(shí)驗(yàn)室可協(xié)助申請(qǐng)各類人才配套待遇。符合實(shí)驗(yàn)室高層次人才評(píng)定條件的,應(yīng)聘時(shí)可按照有關(guān)規(guī)定申請(qǐng)高層次人才及配套待遇的認(rèn)定。
3.職稱評(píng)定:根據(jù)相關(guān)政策規(guī)定申請(qǐng)職稱評(píng)定。
4.人才培養(yǎng):實(shí)驗(yàn)室堅(jiān)持績(jī)效和目標(biāo)導(dǎo)向,在職稱評(píng)定、學(xué)術(shù)交流與培訓(xùn)、科研績(jī)效支出等方面向青年骨干人員傾斜,助力青年人才快速成長。
5.基本保障:按照福州市相關(guān)繳費(fèi)比例繳納五險(xiǎn)一金,享受國家規(guī)定的各類假期、帶薪年休假及年度體檢等福利待遇。
三、應(yīng)聘流程
1.應(yīng)聘申請(qǐng)材料:應(yīng)聘申請(qǐng)表、身份證/護(hù)照、學(xué)歷/學(xué)位證書、學(xué)術(shù)成就目錄、獲獎(jiǎng)證明、專利證書等復(fù)印件以及本人認(rèn)為有必要提供的其他相關(guān)材料;
2.材料以“崗位名稱+姓名+項(xiàng)目名稱 ”命名發(fā)送至:Talents@fjoel.cn
3.招聘考核分為資格審查、專家面試、室務(wù)會(huì)審批等環(huán)節(jié)。對(duì)于通過資格審查的應(yīng)聘者,由實(shí)驗(yàn)室組織評(píng)審專家對(duì)應(yīng)聘者進(jìn)行面試。相關(guān)崗位未招滿前,崗位招聘啟事長期有效。應(yīng)聘申請(qǐng)材料恕不退還,實(shí)驗(yàn)室將予以嚴(yán)格保密。
四、聯(lián)系方式
1.聯(lián)系電話:+86-0591-63173852,15880060856程老師
2.實(shí)驗(yàn)室網(wǎng)址:http://fjoel.cn/
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