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團隊簡介 |
硅基太陽能及寬禁帶半導體團隊由葉繼春博士在2012年8月創(chuàng)建。經(jīng)過10年的發(fā)展，團隊目前擁有16位全職員工以及60余位研究生，其中高級職稱人員9位。團隊曾經(jīng)或正在承擔國家高層次人才特殊支持計劃（萬人計劃）、國家重點研發(fā)計劃（7項）、國家自然科學基金（15項，包括1項重點項目）、中科院重大裝備項目（3項）、浙江省杰出青年基金、浙江省重大研發(fā)計劃、寧波市工業(yè)重大專項、寧波市重大國家合作，寧波市科技創(chuàng)新2025重大專項、企業(yè)聯(lián)合開發(fā)項目等共80余項。團隊與世界上知名科研機構(gòu)以及十余家上市公司開展常態(tài)化的合作。共發(fā)表文章200余篇，其中影響因子大于10的45余篇，獲得專利授權(quán)超100件。團隊依托浙江省能源光電子工程中心，擁有超過600平米的千級超凈室，逐步完善了太陽能及寬禁帶半導體的加工制備和表征分析平臺。目前擁有包括MOCVD、PLD、PECVD、ALD、電子束蒸鍍等總價值超5000萬的半導體薄膜沉積、加工和表征設(shè)備，擁有半導體小試流片能力和器件仿真模擬平臺。團隊近年來在寬禁帶半導體材料與器件領(lǐng)域取得了一系列領(lǐng)域領(lǐng)先成果，包括：1）基于襯底斜切角調(diào)控、氮化物極性調(diào)制技術(shù)制備的深紫外LED，內(nèi)量子效率>90%，EQE>5%，達到領(lǐng)域領(lǐng)先水平；2)發(fā)展了氧化鎵外延工藝和電導調(diào)控技術(shù)，實現(xiàn)單晶氧化鎵薄膜的高效摻雜，薄膜電導率>3200S/cm為本領(lǐng)域最高值，應(yīng)用于高耐壓場景的新型功率二極管器件研制。3)研發(fā)了高性能深紫外光電探測器，器件響應(yīng)度、探測度和響應(yīng)時間等核心指標達到領(lǐng)域一流水平,初步構(gòu)建了面向?qū)嶋H場景檢測的探測器陣列制備和應(yīng)用展示。4）面向AlN等超寬禁帶半導體薄膜的外延生長和高效摻雜，研制了國內(nèi)首臺高溫紫外輔助MOCVD設(shè)備。團隊主頁：https://jichunye.nimte.ac.cn/ |
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崗位職責 |
1、管理并維護實驗室MOCVD設(shè)備，負責MOCVD外延工藝調(diào)試和技術(shù)優(yōu)化 2、對外延產(chǎn)品分析檢測，數(shù)據(jù)分析，形成報告和技術(shù)文檔 3、參與或負責研發(fā)平臺和實驗室的運行與管理。 |
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研究方向 |
氮化物寬禁帶半導體材料外延 |
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學歷要求 |
本科 |
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專業(yè)要求 |
材料、物理、機械、微電子或其他相關(guān)方向 |
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其他要求 |
1.有CVD設(shè)備操作和維護經(jīng)驗 2.理工科專業(yè)背景，有博士/碩士學位者優(yōu)先 3.有獨立科研和思考解決問題的能力，善于團隊協(xié)作，有創(chuàng)造力。 |
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薪酬待遇 |
基本年薪：按照國家及中科院相關(guān)規(guī)定，提供有競爭力的薪酬； 年底績效：根據(jù)個人年度貢獻核定年底績效； 其他津貼：單位發(fā)展績效津貼與所內(nèi)發(fā)展同步；崗位任職年限津貼在同一崗位逐年累加； 福利保障：五險一金、帶薪休假、職工食堂、免費體檢、工會福利等； 職業(yè)發(fā)展：提供學習和培訓機會，暢通的崗位晉升通道 |
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聯(lián)系方式 |
guowei@nimte.ac.cn |
報名網(wǎng)址：https://recruit.nimte.ac.cn/view-26759.html
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
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