中國科學院半導體研究所半導體物理研究室駱軍委團隊致力于“后摩爾時代”四族硅基發(fā)光材料與光源的理論與實驗研究工作，擬聘用崗位主要針對課題組提出的原創(chuàng)的硅基片上發(fā)光理論進行深入的實驗驗證工作。根據工作需要，擬招聘研發(fā)人員2名，相關情況如下：
一、 工作方向：
半導體材料的晶體生長、缺陷分析與表征、半導體器件制備與測試、半導體物理等相關研發(fā)工作。
二、 崗位
四族硅基高效發(fā)光材料與光源的制備研發(fā)工作
三、 人選要求：
（一）熱愛科研工作，踏實努力，具有責任心和團隊合作精神；該研究方向具有一定挑戰(zhàn)性，需心態(tài)平和且能持之以恒的科研研發(fā)人選；
（二）優(yōu)先招聘能穩(wěn)定長期工作且潛心科研3-5年及以上人員，該崗位不招短期工作人員；
（三）具有如下專業(yè)背景（任一）：半導體物理、半導體光電子學、材料物理與化學、材料學、半導體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀本科畢業(yè)生或以上；
（四）優(yōu)先考慮具有如下至少一項研究背景與專長的申請者：
a) 晶體材料的生長技術；
b) 離子注入與退火技術；
c) 半導體材料缺陷測試與表征技術：XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等；
d) 半導體材料的能帶結構分析與光學性能測試表征技術：FTIR、PL等；
（五）優(yōu)先考慮有半導體材料制備、器件工藝、測試表征、超凈間工作經驗者。
四、 相關待遇：
按照中國科學院及半導體研究所的相關規(guī)定辦理五險一金，薪酬從優(yōu)，面談。
五、 應聘方式：
（1）應聘者需提交個人詳細履歷和《崗位應聘申請表》，電子郵件方式發(fā)送至jwluo@semi.ac.cn；
（2）初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試。
六、 聯(lián)系方式：
有意者請將個人簡歷及能夠體現個人能力的相關資料發(fā)送至:jwluo@semi.ac.cn 。郵件主題中請注明“工程師崗位申請—XX（姓名）”，初選合格者將通知面試，未入選者恕不逐一回復。
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