中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體物理研究室駱軍委團(tuán)隊(duì)致力于“后摩爾時(shí)代”四族硅基發(fā)光材料與光源的理論與實(shí)驗(yàn)研究工作，擬聘用崗位主要針對(duì)課題組提出的原創(chuàng)的硅基片上發(fā)光理論進(jìn)行深入的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證工作。根據(jù)工作需要，擬招聘研發(fā)人員2名，相關(guān)情況如下：
一、 工作方向：
半導(dǎo)體材料的晶體生長(zhǎng)、缺陷分析與表征、半導(dǎo)體器件制備與測(cè)試、半導(dǎo)體物理等相關(guān)研發(fā)工作。
二、 崗位
四族硅基高效發(fā)光材料與光源的制備研發(fā)工作
三、 人選要求：
（一）熱愛(ài)科研工作，踏實(shí)努力，具有責(zé)任心和團(tuán)隊(duì)合作精神；該研究方向具有一定挑戰(zhàn)性，需心態(tài)平和且能持之以恒的科研研發(fā)人選；
（二）優(yōu)先招聘能穩(wěn)定長(zhǎng)期工作且潛心科研3-5年及以上人員，該崗位不招短期工作人員；
（三）具有如下專業(yè)背景（任一）：半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體光電子學(xué)、材料物理與化學(xué)、材料學(xué)、半導(dǎo)體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀本科畢業(yè)生或以上；
（四）優(yōu)先考慮具有如下至少一項(xiàng)研究背景與專長(zhǎng)的申請(qǐng)者：
a) 晶體材料的生長(zhǎng)技術(shù)；
b) 離子注入與退火技術(shù)；
c) 半導(dǎo)體材料缺陷測(cè)試與表征技術(shù)：XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等；
d) 半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)分析與光學(xué)性能測(cè)試表征技術(shù)：FTIR、PL等；
（五）優(yōu)先考慮有半導(dǎo)體材料制備、器件工藝、測(cè)試表征、超凈間工作經(jīng)驗(yàn)者。
四、 相關(guān)待遇：
按照中國(guó)科學(xué)院及半導(dǎo)體研究所的相關(guān)規(guī)定辦理五險(xiǎn)一金，薪酬從優(yōu)，面談。
五、 應(yīng)聘方式：
（1）應(yīng)聘者需提交個(gè)人詳細(xì)履歷和《崗位應(yīng)聘申請(qǐng)表》，電子郵件方式發(fā)送至jwluo@semi.ac.cn；
（2）初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試。
六、 聯(lián)系方式：
有意者請(qǐng)將個(gè)人簡(jiǎn)歷及能夠體現(xiàn)個(gè)人能力的相關(guān)資料發(fā)送至:jwluo@semi.ac.cn 。郵件主題中請(qǐng)注明“工程師崗位申請(qǐng)—XX（姓名）”，初選合格者將通知面試，未入選者恕不逐一回復(fù)。
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