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招聘 崗位 |
專任副研究員1名（所屬任務：3-5nm） |
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崗位 職責 |
1.FinFET及GAA器件的設計及工藝整合。 2.SiGe材料外延工藝開發(fā)。 3.面向先進工藝的DTCO技術研究。 |
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招聘條件 |
1.擁護黨和國家的各項方針政策，遵守法律法規(guī)，品行端正；身體健康，心理素質(zhì)良好；愛崗敬業(yè)，恪守學術規(guī)范和職業(yè)道德。 2.具有微電子、物理、材料相關專業(yè)/學科博士學位。 3.年齡一般在40周歲以下。 4.須具有副高級專業(yè)技術職務任職資格或海外人員達到相應水平，或任務特需的，具有中級專業(yè)技術職務任職資格（獲聘后按中級專業(yè)技術職務任職資格認定） 5.精通半導體器件物理以及集成電路工藝，具有豐富的半導體器件和工藝開發(fā)經(jīng)驗，包括EBL/刻蝕/外延/ALD/CVD，器件/工藝仿真等。 6.具有重大項目研究經(jīng)歷者優(yōu)先。 |
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招聘 范圍 |
校內(nèi)、外 |
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崗位 待遇 |
1.與學校簽訂勞動合同，可申請學校相關住房。 2.提供有市場競爭力的薪資待遇和優(yōu)越的科研環(huán)境。 3.符合相關條件的，可按照學校規(guī)定申請子女入托入學。 |
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應聘 程序 |
1.應聘者發(fā)送個人簡歷（包括學習研究經(jīng)歷、發(fā)表論文列表、既往研究成果、未來研究計劃等）至qyx@fudan.edu.cn,抄送到xu_min@fudan.edu.cn（郵件標題注明：應聘某某崗位+本人姓名 ）。 2.擇優(yōu)安排面試。 3.擬聘用者報學校審批。 |
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聯(lián)系 方式 |
郵箱：xu_min@fudan.edu.cn |
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截止 日期 |
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備注 |
訂立聘用合同或者勞動合同以前有下列情形的，不予錄用： （1）受過刑事處罰、行政拘留處罰，或者因涉嫌違法正在接受有關部門調(diào)查，尚未作出結(jié)論的； （2）受到黨（團）紀、政紀處分，處分尚未解除，或者因涉嫌違紀正在接受有關單位調(diào)查，尚未作出結(jié)論的； （3）違反高等學校教師職業(yè)行為規(guī)范的； （4）在應聘過程中違背誠實信用或者社會公序良俗的； （5）其他不符合聘用條件的情形。 |
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來源鏈接：
https://hr.fudan.edu.cn/af/09/c
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
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