上�？萍即髮W公共超凈平臺是學校開展半導體器件工藝及其交叉學科研究的重要創(chuàng)新平臺。本超凈室主要為III-V族，III-Nitride,Si，Ge等無機半導體材料和相關新型器件提供研究和制造平臺。公共超凈平臺的建設目的是為了促進納米科學技術、半導體技術、光電子技術的基礎研究和發(fā)展，以及能源、信息、材料、醫(yī)療、環(huán)境等領域多學科交叉研究。通過3-5年持續(xù)的發(fā)展和建設，將逐步建立起條件優(yōu)良，功能齊全，管理規(guī)范，先進高效的優(yōu)質資源公用系統(tǒng)和共享機制，建設成適應于當前以及未來器件工藝研發(fā)所需要的基礎支撐體系。公共超凈平臺屬于上科大公共科研平臺，委托信息學院籌建并先期管理。其中，集成濺射設備（ALN）是納米平臺大型核心功能薄膜設備，包含多個腔體的復雜度和技術性非常高的設備，需要專崗進行工藝創(chuàng)新與操作、設備管理與維護。
崗位名稱：集成濺射設備（ALN）工藝工程師
崗位人數：1
1)負責嫻熟操作多腔體ALN集成濺射設備、掌握該設備的工作原理及大體構造、制定日常維護和保養(yǎng)計劃,編制設備使用規(guī)范文件；
2)負責完善制備Mo、AlN和其他功能性薄膜材料的工藝流程，掌握工藝參數對薄膜性質的影響關系，能夠配合研究目標制備出所符合要求的薄膜材料；編制薄膜制備工藝文件；
3)完全負責該設備的日常使用，處理設備相關的各種日常維護管理工作，負責對新用戶的培訓工作；
4)負責制定AlN設備的安全規(guī)章制度；
5)制定應急預案,對于緊急狀況需要立刻到現(xiàn)場處理,解答用戶反饋的各種問題；
6)掌握實驗室其他與本設備相關的儀器操作使用技巧，如顯微鏡、薄膜應力測量、薄膜厚度測量儀、XRD、AFM等；
7)負責編制年/季/月度/周儀器設備的預檢計劃、設備大修計劃，備品備件制造和供應計劃；
8)輔助微納制造實驗課程的制定和開設；
9)其他上級交待的相關工作。
1)具有微電子，光電子，材料或者物理等領域的本科學歷及以上；
2)具備濺射設備使用和維護經歷1年以上，有完備的器件制備經驗者優(yōu)先考慮；
3)對基于壓電材料的各種器件的工作原理和測試有基本的了解；
4)具有良好的團隊合作精神，善于溝通；
5)能夠閱讀相關專業(yè)的英語文獻及具備英文寫作能力；
6)具有良好的協(xié)調溝通能力、管理能力和學習能力、以及團隊合作精神。
工作條件與工資待遇
按照上�？萍即髮W相關規(guī)定執(zhí)行，根據個人具體情況，提供具有競爭力的薪酬、津貼和福利。
應聘方式
請應聘者填寫完整的應聘材料，通過上�？萍即髮W人才招聘系統(tǒng)提交應聘申請，不接受現(xiàn)場應聘。
崗位名稱：集成濺射設備（ALN）工藝工程師
崗位人數：1
1)負責嫻熟操作多腔體ALN集成濺射設備、掌握該設備的工作原理及大體構造、制定日常維護和保養(yǎng)計劃,編制設備使用規(guī)范文件；
2)負責完善制備Mo、AlN和其他功能性薄膜材料的工藝流程，掌握工藝參數對薄膜性質的影響關系，能夠配合研究目標制備出所符合要求的薄膜材料；編制薄膜制備工藝文件；
3)完全負責該設備的日常使用，處理設備相關的各種日常維護管理工作，負責對新用戶的培訓工作；
4)負責制定AlN設備的安全規(guī)章制度；
5)制定應急預案,對于緊急狀況需要立刻到現(xiàn)場處理,解答用戶反饋的各種問題；
6)掌握實驗室其他與本設備相關的儀器操作使用技巧，如顯微鏡、薄膜應力測量、薄膜厚度測量儀、XRD、AFM等；
7)負責編制年/季/月度/周儀器設備的預檢計劃、設備大修計劃，備品備件制造和供應計劃；
8)輔助微納制造實驗課程的制定和開設；
9)其他上級交待的相關工作。
1)具有微電子，光電子，材料或者物理等領域的本科學歷及以上；
2)具備濺射設備使用和維護經歷1年以上，有完備的器件制備經驗者優(yōu)先考慮；
3)對基于壓電材料的各種器件的工作原理和測試有基本的了解；
4)具有良好的團隊合作精神，善于溝通；
5)能夠閱讀相關專業(yè)的英語文獻及具備英文寫作能力；
6)具有良好的協(xié)調溝通能力、管理能力和學習能力、以及團隊合作精神。
工作條件與工資待遇
按照上�？萍即髮W相關規(guī)定執(zhí)行，根據個人具體情況，提供具有競爭力的薪酬、津貼和福利。
應聘方式
請應聘者填寫完整的應聘材料，通過上�？萍即髮W人才招聘系統(tǒng)提交應聘申請，不接受現(xiàn)場應聘。
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網）
中國-博士人才網發(fā)布
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