一、研究方向
（1）基于CMOSMEMS技術(shù)的氣體傳感器及系統(tǒng)研發(fā)；（招聘2-3名）
（2）半導(dǎo)體微納光電器件制備及光電異質(zhì)集成芯片研究；（招聘1-2名）
（3）精密光學(xué)設(shè)備與新型光譜測(cè)量系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與研究；（招聘1-2名）
（4）面向MEMS傳感器的模擬前端集成電路及片上系統(tǒng)研究；（招聘1-2名）
（5）納米生物傳感器及柔性可穿戴器件與系統(tǒng)研究；（招聘1-2）
二、應(yīng)聘條件
（1）具有或即將獲得微電子、物理電子、電子工程、微機(jī)光電、光學(xué)工程、材料化學(xué)、醫(yī)工結(jié)合或相關(guān)專業(yè)博士學(xué)位。
（2）博士期間在知名刊物、MEMS、生物傳感、光電器件及微系統(tǒng)等領(lǐng)域上發(fā)表過(guò)高水平學(xué)術(shù)論文。
（3）具有良好的學(xué)術(shù)道德、嚴(yán)謹(jǐn)科學(xué)態(tài)度、良好的溝通能力及團(tuán)隊(duì)合作精神。
（4）事業(yè)心強(qiáng)，身體健康，年齡35周歲以下，且獲得博士學(xué)位不超過(guò)5年的人員。
（5）有業(yè)界工作經(jīng)驗(yàn)及良好的微納加工及操作經(jīng)驗(yàn)，并有志于從事科研工作者優(yōu)先。
三、聘期待遇
（1）依托復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院及工程與應(yīng)用技術(shù)研究院，聘期2-3年。
（2）年薪25-50萬(wàn)元RMB及額外優(yōu)秀工作津貼。
（3）博士后公寓和子女入學(xué)等按照學(xué)校相關(guān)政策執(zhí)行。
（4）博士后期間可推薦至海外交流學(xué)習(xí)6-12個(gè)月（視項(xiàng)目進(jìn)展情況和個(gè)人發(fā)展需求）。
（5）優(yōu)秀博士后出站后可優(yōu)先考慮或推薦留復(fù)旦大學(xué)工作。
四、研究平臺(tái)條件
平臺(tái)條件：平臺(tái)依托復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院及工程與應(yīng)用技術(shù)研究院，建有專用集成電路和系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家集成電路創(chuàng)新中心及長(zhǎng)三角集成電路設(shè)計(jì)與制造協(xié)同創(chuàng)新中心。所在的平臺(tái)聚焦于微納電子科學(xué)領(lǐng)域的科技創(chuàng)新，正以國(guó)家中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃提出的戰(zhàn)略需求為依據(jù)，以國(guó)際微納電子、光電芯片學(xué)科發(fā)展的趨勢(shì)為導(dǎo)向，開(kāi)展基礎(chǔ)理論和應(yīng)用基礎(chǔ)研究。
在硬件條件方面，實(shí)驗(yàn)室擁有主體千級(jí)、部分區(qū)域百級(jí)、總潔凈面積達(dá)到約800平米的潔凈室，放置了先進(jìn)的集束系統(tǒng)(集成了PVD/ALD/RTP/XPS等)、4臺(tái)多源原子層沉積設(shè)備、濺射儀、紫外光刻機(jī)、反應(yīng)離子刻蝕、電子束光刻等整套微納器件制備及測(cè)試關(guān)鍵設(shè)備。
五、應(yīng)聘者請(qǐng)?zhí)峁┮韵虏牧?/span>
（1）個(gè)人簡(jiǎn)歷（導(dǎo)師聯(lián)系方式和所發(fā)表的學(xué)術(shù)成果）
（2）導(dǎo)師推薦信（如有）
（3）學(xué)位證明復(fù)印件（或博士答辯證明）
（4）其它需要說(shuō)明的問(wèn)題
有意者可先將上述材料發(fā)至郵箱，經(jīng)面試后進(jìn)行雙向選擇，對(duì)于遞交的應(yīng)聘材料給予保密。
六、聯(lián)系人
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院盧紅亮教授
課題組網(wǎng)站：www.fudansensor.com
Email：honglianglu@fudan.edu.cn，郵件標(biāo)題注明：應(yīng)聘博士后+本人姓名 。
地址：上海市邯鄲路220號(hào)，郵政編碼200433
為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國(guó)博士人才網(wǎng)）
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