西安交通大學寬禁帶半導體材料與器件研究中心是一個面向新一代寬禁帶半導體材料及器件的研究中心。該中心致力于研發(fā)在熱、聲、光、電及力學等方面具有潛在性能優(yōu)勢和產(chǎn)業(yè)化前景的新型寬禁帶半導體材料與器件，目前重點開展利用微波等離子體化學氣相外延（MPCVD）、金屬有機化學氣相外延（MOCVD）等先進半導體材料生長工藝設備外延生長寬禁帶半導體單晶薄膜、單晶襯底和量子結構，開展相關基礎研究和應用研究；并研發(fā)相應的短波長發(fā)光器件、高溫高頻大功率電子器件、高效大功率電力電子器件、高性能傳感器及成像器件；同時帶動我校電子科學與技術學科的發(fā)展。該中心現(xiàn)承擔科技部“863”重大項目、國家自然科學基金項目等。該實驗室將通過整合西安交通大學相關學科資源、強化科研平臺建設、引進國際一流人才，逐步發(fā)展成為具有國際水平的、在國內(nèi)外有重要影響的、特色鮮明的研究基地，最終建成世界一流的學術研究機構。
1.研究中心實驗室主任
王宏興教授，國家“人才”特聘專家。
2.學術委員會主任
侯洵教授，中國科學院院士。
3.主要研究方向
（1）大面積、高質量寬禁帶半導體襯底的研究；
（2）電子器件級高質量寬禁帶半導體單晶薄膜及摻雜方法的研究；
（3）高溫、高效、大功率微波器件及高效大功率電力電子器件的研究；
（4）基于寬禁帶半導體的傳感器和成像探測器的研究；
（5）新型微波等離子體化學氣相外延（MPCVD）等關鍵設備的研制。
4.主要研究條件
（1）工藝設備：日本Seki Technotron Corp. 公司的AX6500 CVD、AX5200和AX5250系統(tǒng)3套，AIXTRON MOCVD一套，高精密金剛石研磨機一臺，激光切割機一臺，現(xiàn)有RS-LMBE一套、MOCVD一套、JPSA激光剝離機一套，反應磁控濺射系統(tǒng)各一套，電阻和電子束蒸發(fā)鍍膜設備各一套，深紫外光刻機一臺，ICP離子刻蝕一臺，微控擴散爐一臺，快速退火爐（RTP）一臺、KNS球焊機、楔焊機各一臺。
（2）測試設備：Philips高分辨率XRD（MRD）一臺，AFM一臺，高分辨率FEM-SEM一臺，四探針測試系統(tǒng)一臺，陰極發(fā)光CL一臺、吉時利4200-SCS型半導體特性分析、安捷倫1505A型高壓大功率半導體特性分析儀，高分辨表面平坦度測試儀一臺，拉曼譜測試儀一臺，變溫PL譜一臺、飛秒激光系統(tǒng)兩套、Lake Shore 7707A變溫霍耳測試系統(tǒng)等。
（3）并建有“寬帶隙化合物半導體材料與器件實驗室”，該實驗室從寬帶隙化合物半導體光電材料的外延生長、高低溫光電特性測試、薄膜結構測試、深紫外曝光（光刻）、刻蝕（濕，干）、金屬電極制作、雜質擴散和熱處理等方面形成了一套完整的工藝、測試線，有700m2的凈化間。
一.人才招聘條件與待遇
1.招聘全職教職人員5名
（1）研究方向
在以下幾個方向共招聘5名：
大面積寬禁帶半導體襯底的研究；
寬禁帶半導體外延生長和摻雜方法的研究；
大功率微波器件，大功率電力電子器件的研究；
寬禁帶半導體的傳感器和成像探測器的研究；
新型微波等離子體化學氣相外延（MPCVD）等關鍵設備的研制。
（2）應聘條件
應聘講師年齡在32歲以下，應聘副教授年齡在35歲以下；
電子科學與技術、電氣工程、材料科學或相關專業(yè)博士畢業(yè)；
在與上列相關的一個方向有兩年以上的工作經(jīng)歷；
以第一作者在國際一流期刊發(fā)表2篇以上高水平學術論文；
有獨立承擔科研項目的能力；
優(yōu)秀的中、英文表達能力，優(yōu)秀的閱讀和撰寫英文學術論文；
具有團隊合作精神和責任心。
（3）待遇
采用Tenure Track（預備終身教職）模式；
講師年薪為12萬元，副教授年薪為18萬元；
年終根據(jù)業(yè)績提供相應的年度獎勵；
提供一定數(shù)額的安家費及科研啟動費；
在子女入托、中小學入學方面享受校內(nèi)職工同等待遇；
其他待遇按照學校有關規(guī)定執(zhí)行。
二.應聘方式
所有應聘者應提供以下資料：
（1）中英文電子版簡歷、格式不限，應包含本人研究領域和應聘的研究方向、研究成果列表；
（2）個人信息，以及家庭狀況的有關信息；
（3）主要研究成果。3項主要成果的電子版，含成果水平的簡要介紹（中英文）；
（4）兩份業(yè)內(nèi)專家的推薦信（中/英文）；
（5）對研究方向的設想。
三.聯(lián)系方法
單 位：西安交通大學
地 址：中國 陜西 西安 咸寧西路28號 西安交通大學電信學院
郵 編：710049
聯(lián)系人：張明輝
電話：029-82668155
E-mail:zhangminghuicc@mail.xjtu.edu.cn
截至日期：2014-12-31
1.研究中心實驗室主任
王宏興教授，國家“人才”特聘專家。
2.學術委員會主任
侯洵教授，中國科學院院士。
3.主要研究方向
（1）大面積、高質量寬禁帶半導體襯底的研究；
（2）電子器件級高質量寬禁帶半導體單晶薄膜及摻雜方法的研究；
（3）高溫、高效、大功率微波器件及高效大功率電力電子器件的研究；
（4）基于寬禁帶半導體的傳感器和成像探測器的研究；
（5）新型微波等離子體化學氣相外延（MPCVD）等關鍵設備的研制。
4.主要研究條件
（1）工藝設備：日本Seki Technotron Corp. 公司的AX6500 CVD、AX5200和AX5250系統(tǒng)3套，AIXTRON MOCVD一套，高精密金剛石研磨機一臺，激光切割機一臺，現(xiàn)有RS-LMBE一套、MOCVD一套、JPSA激光剝離機一套，反應磁控濺射系統(tǒng)各一套，電阻和電子束蒸發(fā)鍍膜設備各一套，深紫外光刻機一臺，ICP離子刻蝕一臺，微控擴散爐一臺，快速退火爐（RTP）一臺、KNS球焊機、楔焊機各一臺。
（2）測試設備：Philips高分辨率XRD（MRD）一臺，AFM一臺，高分辨率FEM-SEM一臺，四探針測試系統(tǒng)一臺，陰極發(fā)光CL一臺、吉時利4200-SCS型半導體特性分析、安捷倫1505A型高壓大功率半導體特性分析儀，高分辨表面平坦度測試儀一臺，拉曼譜測試儀一臺，變溫PL譜一臺、飛秒激光系統(tǒng)兩套、Lake Shore 7707A變溫霍耳測試系統(tǒng)等。
（3）并建有“寬帶隙化合物半導體材料與器件實驗室”，該實驗室從寬帶隙化合物半導體光電材料的外延生長、高低溫光電特性測試、薄膜結構測試、深紫外曝光（光刻）、刻蝕（濕，干）、金屬電極制作、雜質擴散和熱處理等方面形成了一套完整的工藝、測試線，有700m2的凈化間。
一.人才招聘條件與待遇
1.招聘全職教職人員5名
（1）研究方向
在以下幾個方向共招聘5名：
大面積寬禁帶半導體襯底的研究；
寬禁帶半導體外延生長和摻雜方法的研究；
大功率微波器件，大功率電力電子器件的研究；
寬禁帶半導體的傳感器和成像探測器的研究；
新型微波等離子體化學氣相外延（MPCVD）等關鍵設備的研制。
（2）應聘條件
應聘講師年齡在32歲以下，應聘副教授年齡在35歲以下；
電子科學與技術、電氣工程、材料科學或相關專業(yè)博士畢業(yè)；
在與上列相關的一個方向有兩年以上的工作經(jīng)歷；
以第一作者在國際一流期刊發(fā)表2篇以上高水平學術論文；
有獨立承擔科研項目的能力；
優(yōu)秀的中、英文表達能力，優(yōu)秀的閱讀和撰寫英文學術論文；
具有團隊合作精神和責任心。
（3）待遇
采用Tenure Track（預備終身教職）模式；
講師年薪為12萬元，副教授年薪為18萬元；
年終根據(jù)業(yè)績提供相應的年度獎勵；
提供一定數(shù)額的安家費及科研啟動費；
在子女入托、中小學入學方面享受校內(nèi)職工同等待遇；
其他待遇按照學校有關規(guī)定執(zhí)行。
二.應聘方式
所有應聘者應提供以下資料：
（1）中英文電子版簡歷、格式不限，應包含本人研究領域和應聘的研究方向、研究成果列表；
（2）個人信息，以及家庭狀況的有關信息；
（3）主要研究成果。3項主要成果的電子版，含成果水平的簡要介紹（中英文）；
（4）兩份業(yè)內(nèi)專家的推薦信（中/英文）；
（5）對研究方向的設想。
三.聯(lián)系方法
單 位：西安交通大學
地 址：中國 陜西 西安 咸寧西路28號 西安交通大學電信學院
郵 編：710049
聯(lián)系人：張明輝
電話：029-82668155
E-mail:zhangminghuicc@mail.xjtu.edu.cn
截至日期：2014-12-31
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
聲明提示：凡本網(wǎng)注明“來源：XXX”的文/圖等稿件，本網(wǎng)轉載出于傳遞更多信息及方便產(chǎn)業(yè)探討之目的，并不意味著本站贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性，文章內(nèi)容僅供參考。
