西 安交通大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究中心是一個(gè)面向新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件的研究中心。該中心致力于研發(fā)在熱、聲、光、電及力學(xué)等方面具有潛在性 能優(yōu)勢和產(chǎn)業(yè)化前景的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件，目前重點(diǎn)開展利用微波等離子體化學(xué)氣相外延（MPCVD）、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOCVD）等先進(jìn) 半導(dǎo)體材料生長工藝設(shè)備外延生長寬禁帶半導(dǎo)體單晶薄膜、單晶襯底和量子結(jié)構(gòu)，開展相關(guān)基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究；并利用中心現(xiàn)有的紫外曝光機(jī)、電阻式和電子束蒸 發(fā)臺、反應(yīng)離子濺射臺、ICP干法刻蝕機(jī)等半導(dǎo)體工藝設(shè)備研發(fā)相應(yīng)的短波長發(fā)光器件、高溫高頻大功率電子器件、高效大功率電力電子器件、高性能傳感器；同 時(shí)帶動(dòng)我校電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科的發(fā)展。該中心現(xiàn)承擔(dān)科技部“863”重大項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目等。該實(shí)驗(yàn)室將通過整合西安交通大學(xué)相關(guān)學(xué)科資源、強(qiáng) 化科研平臺建設(shè)、引進(jìn)國際一流人才，逐步發(fā)展成為具有國際水平的、在國內(nèi)外有重要影響的、特色鮮明的研究基地，最終建成世界一流的學(xué)術(shù)研究機(jī)構(gòu)。 
 
1.研究中心實(shí)驗(yàn)室主任 
 
王宏興教授，國家“人才”特聘專家。 
 
2.學(xué)術(shù)委員會(huì)主任 
 
侯洵教授，中國科學(xué)院院士。 
 
3.主要研究方向 
 
（1）大面積、高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體襯底的研究； 
 
（2）電子器件級高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體單晶薄膜及摻雜方法的研究； 
 
（3）高溫、高效、大功率微波器件及高效大功率電力電子器件的研究； 
 
（4）大功率、高擊穿場強(qiáng)肖特基二極管的研究；

（5）基于寬禁帶半導(dǎo)體的探測器和傳感器的研究； 

（6）基于金剛石NV-center量子器件的研究；

（7）金剛石基MEMS及NEMS結(jié)構(gòu)與器件的研究；
 
（8）新型化學(xué)氣相外延（CVD）等關(guān)鍵設(shè)備的研制。 
 
4.主要研究條件 
 
（1） 工藝設(shè)備：日本Seki Technotron Corp. 公司的AX6500、AX5200和AX5250 CVD系統(tǒng)3 套，AIXTRON MOCVD一套，高精密金剛石研磨機(jī)一臺，激光切割機(jī)一臺，現(xiàn)有RS-LMBE一套、MOCVD一套、JPSA激光剝離機(jī)一套，反應(yīng) 磁控濺射系統(tǒng)各一套，電阻和電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備各一套，深紫外光刻機(jī)一臺，ICP離子刻蝕一臺，微控?cái)U(kuò)散爐一臺，快速退火爐（RTP）一臺、KNS球焊 機(jī)、楔焊機(jī)各一臺。 
 
（2）測試設(shè)備：Philips高分辨率XRD（MRD）一臺，AFM一臺，高分辨率FEM-SEM一臺，四探 針測試系統(tǒng)一臺，陰極發(fā)光CL一臺、吉時(shí)利 4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析、安捷倫1505A型高壓大功率半導(dǎo)體特性分析儀，高分辨表面平坦度測試儀一臺，拉曼譜測試儀一臺，變溫PL譜一臺、飛 秒激光系統(tǒng)兩套、Lake Shore 7707A變溫霍耳測試系統(tǒng)等。 
 
（3）并建有“寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件實(shí)驗(yàn)室”，該實(shí)驗(yàn)室從寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延生長、高低溫光電特性測試、薄膜結(jié)構(gòu)測試、深紫外曝光（光刻）、刻蝕（濕，干）、金屬電極制作、雜質(zhì)擴(kuò)散和熱處理等方面形成了一套完整的工藝、測試線，有700m2的凈化間。 
 
一.人才招聘條件與待遇 
 
1.招聘全職教職人員5名 
 
（1）研究方向 
 
在以下幾個(gè)方向共招聘5名： 
 
大面積寬禁帶半導(dǎo)體襯底的研究； 
 
寬禁帶半導(dǎo)體外延生長和摻雜方法的研究； 
 
大功率微波器件，大功率電力電子器件的研究； 
 
寬禁帶半導(dǎo)體的傳感器和探測器的研究；

基于金剛石的MEMS，NEMS，NV-center量子器件的研究； 
 
新型化學(xué)氣相外延（CVD）等關(guān)鍵設(shè)備的研制。 
 
（2）應(yīng)聘條件 
 
應(yīng)聘講師年齡在32歲以下，應(yīng)聘副教授年齡在35歲以下； 
 
電子科學(xué)與技術(shù)、電氣工程、材料科學(xué)或相關(guān)專業(yè)博士畢業(yè)； 
 
在與上列相關(guān)的一個(gè)方向有兩年以上的工作經(jīng)歷； 
 
以第一作者在國際一流期刊發(fā)表2篇以上高水平學(xué)術(shù)論文； 
 
有獨(dú)立承擔(dān)科研項(xiàng)目的能力； 
 
優(yōu)秀的中、英文表達(dá)能力，優(yōu)秀的閱讀和撰寫英文學(xué)術(shù)論文； 
 
具有團(tuán)隊(duì)合作精神和責(zé)任心。 
 
（3）待遇 
 
采用Tenure Track（預(yù)備終身教職）模式； 
 
講師年薪為12萬元，副教授年薪為18萬元； 
 
年終根據(jù)業(yè)績提供相應(yīng)的年度獎(jiǎng)勵(lì)； 
 
提供一定數(shù)額的安家費(fèi)及科研啟動(dòng)費(fèi)； 
 
在子女入托、中小學(xué)入學(xué)方面享受校內(nèi)職工同等待遇； 
 
其他待遇按照學(xué)校有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。 
 
二.應(yīng)聘方式 
 
所有應(yīng)聘者應(yīng)提供以下資料： 
 
（1）中英文電子版簡歷、格式不限，應(yīng)包含本人研究領(lǐng)域和應(yīng)聘的研究方向、研究成果列表； 
 
（2）個(gè)人信息，以及家庭狀況的有關(guān)信息； 
 
（3）主要研究成果。3項(xiàng)主要成果的電子版，含成果水平的簡要介紹（中英文）； 
 
（4）兩份業(yè)內(nèi)專家的推薦信（中/英文）； 
 
（5）對研究方向的設(shè)想。 
 
三.聯(lián)系方法 
 
單 位：西安交通大學(xué)  
 
地 址：中國 陜西 西安 咸寧西路28號 西安交通大學(xué)電信學(xué)院 
 
郵 編：710049 
  
聯(lián)系人：張明輝  
 
電話：029-82668155 
 
E-mail:zhangminghuicc@mail.xjtu.edu.cn