一、平臺(tái)介紹

先進(jìn)半導(dǎo)體研究院（寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件平臺(tái)）聚焦寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際前沿和重大科學(xué)問(wèn)題，瞄準(zhǔn)國(guó)家在信息、能源等領(lǐng)域的重大戰(zhàn)略需求，依托長(zhǎng)三角區(qū)域領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)、浙江大學(xué)雄厚的科研實(shí)力和杭州科創(chuàng)中心創(chuàng)新的體制機(jī)制，打造一個(gè)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)的前沿技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)平臺(tái)，推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研深度融合發(fā)展。研究院由杭州科創(chuàng)中心首席科學(xué)家楊德仁院士牽頭建設(shè)，學(xué)術(shù)委員會(huì)主任由鄭有炓院士擔(dān)任，院長(zhǎng)由盛況教授擔(dān)任。研究院將集中建設(shè)超凈實(shí)驗(yàn)室和寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、芯片研制、封裝測(cè)試及應(yīng)用的先進(jìn)研發(fā)設(shè)施和大型儀器設(shè)備。

二、重點(diǎn)引進(jìn)方向

（一）寬禁帶半導(dǎo)體材料（包括但不限于以下方向）

1、碳化硅單晶的生長(zhǎng)

2、碳化硅薄膜的外延

3、碳化硅中的雜質(zhì)和缺陷

4、碳化硅的電化學(xué)

5、碳化硅的表面及界面

6、碳化硅的新穎原型器件

7、氮化鎵薄膜的外延

8、半導(dǎo)體金剛石單晶薄膜的生長(zhǎng)

9、氧化鎵單晶的生長(zhǎng)

10、氧化鎵中的雜質(zhì)和缺陷

11、寬禁帶半導(dǎo)體材料與二維材料的前沿交叉

12、寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備和加工設(shè)備

（二）寬禁帶半導(dǎo)體器件（包括但不限于以下方向）

1、碳化硅功率器件

2、氮化鎵功率器件

3、氧化鎵功率器件

4、其他寬禁帶功率器件

5、單芯片集成技術(shù)

6、多芯片集成技術(shù)

7、芯片散熱技術(shù)

8、射頻功率芯片技術(shù)

9、能量收集技術(shù)

10、寬禁帶傳感技術(shù)芯片

11、其他寬禁帶技術(shù)等

（三）封裝測(cè)試和應(yīng)用（包括但不限于以下方向）

1、功率器件的封裝

2、射頻器件的封裝

3、其他相關(guān)器件的封裝

4、模塊集成

5、測(cè)試技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)

三、青年人才卓越計(jì)劃

（一）申請(qǐng)條件

1、具有遠(yuǎn)大學(xué)術(shù)志向、創(chuàng)新精神、較強(qiáng)科研能力和社會(huì)責(zé)任感；

2、已獲得博士學(xué)位，年齡原則上不超過(guò)35周歲，特別優(yōu)秀者年齡條件可適當(dāng)放寬；

3、具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等方向堅(jiān)實(shí)的專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣，對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域有足夠的學(xué)科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過(guò)交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；

4、具備以獨(dú)立PI開(kāi)展研究工作的能力；

5、有寬禁帶材料與器件領(lǐng)域院士或國(guó)際知名專(zhuān)家推薦者優(yōu)先考慮；

6、原則上要求至少有1站博士后或兩年工作經(jīng)歷。

（二）待遇及保障

1、提供有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬保障（一人一議），符合條件者可同步享受杭州市和蕭山區(qū)相應(yīng)的人才政策（詳細(xì)內(nèi)容見(jiàn)文末）；

2、為入選者及其團(tuán)隊(duì)成員提供人才公寓，符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；

3、提供首期（3年）300-500萬(wàn)元的科研資助（可持續(xù)滾動(dòng)資助）；

4、提供100-150㎡辦公實(shí)驗(yàn)空間；

5、提供"專(zhuān)人一站式"服務(wù)，共享科研平臺(tái)大型儀器設(shè)備；

6、入選者中科研業(yè)績(jī)突出且符合浙江大學(xué)人才標(biāo)準(zhǔn)的，可推薦聘至浙江大學(xué)；

7、符合杭州市有關(guān)規(guī)定的，協(xié)助解決杭州市集體戶(hù)口。

四、博士后研究人員

（一）申請(qǐng)條件

1、近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位，品學(xué)兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過(guò)35周歲；

2、保證全職從事博士后研究工作；

3、具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等學(xué)科背景和科研經(jīng)驗(yàn)，從事過(guò)交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；

4、具有良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和較強(qiáng)的獨(dú)立工作能力；

5、具有良好的英語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)讀寫(xiě)能力；

6、近三年內(nèi)以第一作者發(fā)表1篇以上有一定影響力的研究論文，研究成果突出者優(yōu)先考慮。

（二）待遇及保障

1、原則上稅前年薪不低于40萬(wàn)元（含地方政府人才補(bǔ)助），具體面議；

2、出站后留在科創(chuàng)中心工作的，可享受杭州市、蕭山區(qū)政府相應(yīng)人才政策（詳細(xì)內(nèi)容見(jiàn)文末）；

3、對(duì)獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的，杭州市、蕭山區(qū)財(cái)政分別給予相應(yīng)配套資助；

4、提供蕭山區(qū)人才公寓或科創(chuàng)中心公寓；

5、提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件；

6、參與科創(chuàng)中心重大課題研究并取得顯著成績(jī)的，可獲得額外資助或津貼；

7、在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)；

8、工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績(jī)突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請(qǐng)浙江大學(xué)教師崗位或科創(chuàng)中心技術(shù)研發(fā)崗位；

9、符合杭州市有關(guān)規(guī)定的，協(xié)助解決杭州市集體戶(hù)口。

五、運(yùn)營(yíng)工程師

主要負(fù)責(zé)平臺(tái)外延材料生長(zhǎng)、功率芯片制備及封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈設(shè)備的運(yùn)維、管理及對(duì)外服務(wù)。

【崗位職責(zé)】：

1、設(shè)備安裝、調(diào)試與驗(yàn)收，工藝計(jì)劃與執(zhí)行；

2、優(yōu)化工藝條件，確保工藝穩(wěn)定性；

3、制定備件申購(gòu)計(jì)劃，跟蹤采購(gòu)進(jìn)度，易耗、易損件庫(kù)存管理；

4、設(shè)備SOP文件體系擬定、完善，制定設(shè)備操作流程、日常巡檢、維修、日常保養(yǎng)計(jì)劃，實(shí)施設(shè)備預(yù)知性維修，改善工作質(zhì)量，迅速解決機(jī)臺(tái)出現(xiàn)的問(wèn)題，保持設(shè)備性能狀態(tài)，提高設(shè)備UPTIME；

5、設(shè)備運(yùn)行管理及對(duì)外服務(wù)；

6、團(tuán)隊(duì)協(xié)調(diào)及工藝協(xié)同。

【任職要求】：

1、大學(xué)本科及以上學(xué)歷；

2、半導(dǎo)體、機(jī)械、機(jī)電、自動(dòng)化、電氣工程、材料、化學(xué)、電子信息等理工科專(zhuān)業(yè)；

3、三年以上材料、半導(dǎo)體晶圓制造或封測(cè)領(lǐng)域工作經(jīng)驗(yàn)，有建廠或裝機(jī)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮；

4、具有良好的英文書(shū)寫(xiě)及溝通能力。

六、廠務(wù)值班工程師

【任職要求】：

1、實(shí)驗(yàn)室廠務(wù)設(shè)備巡檢、抄表；

2、中控室實(shí)時(shí)監(jiān)控；

3、廠務(wù)設(shè)施故障應(yīng)急處理匯報(bào)；

4、負(fù)責(zé)區(qū)域6S管理。

【崗位職責(zé)】：

1、中專(zhuān)及以上學(xué)歷，經(jīng)驗(yàn)豐富可降低學(xué)歷要求，電氣、機(jī)電、機(jī)械等相關(guān)專(zhuān)業(yè)；

2、能掌握實(shí)驗(yàn)室廠務(wù)設(shè)施的開(kāi)停機(jī)；

3、了解設(shè)施工作原理，掌握設(shè)施的操作功能；

4、能適應(yīng)倒班制。

七、擴(kuò)散工藝工程師

【任職要求】：

1、基于平臺(tái)的新機(jī)臺(tái)進(jìn)行工藝調(diào)試，并開(kāi)發(fā)擴(kuò)散工藝，包括PECVD生長(zhǎng)SiO2和SiN薄膜，LPCVD生長(zhǎng)TEOS、POLY、BPSG等，熱氧化、致密化退火工藝等；

2、工藝異常調(diào)查與處理、現(xiàn)場(chǎng)工藝日常維護(hù)及SPC日常監(jiān)控管理；

3、進(jìn)行新工藝開(kāi)發(fā)和老工藝優(yōu)化，獨(dú)立完成工藝驗(yàn)證報(bào)告、開(kāi)發(fā)報(bào)告、異常報(bào)告和SPC分析報(bào)告；

4、制定工藝規(guī)范文件，對(duì)相應(yīng)設(shè)備操作人員進(jìn)行技能培訓(xùn)；

5、參與團(tuán)隊(duì)的課題和項(xiàng)目，完成相應(yīng)的工藝開(kāi)發(fā)和器件流片實(shí)驗(yàn)；

6、參與工藝代工，完成客戶(hù)工藝加工目標(biāo)和指標(biāo)要求；

7、協(xié)助團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人完成其他工作。

【崗位職責(zé)】：

1、專(zhuān)業(yè)：半導(dǎo)體、微電子、電氣工程、物理、化學(xué)或相關(guān)專(zhuān)業(yè)；

2、學(xué)歷：本科及以上；

3、經(jīng)驗(yàn)：行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)2年及以上，具備功率器件行業(yè)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先，技能、經(jīng)驗(yàn)優(yōu)秀者不限制專(zhuān)業(yè)；

4、其他：了解晶圓制造工藝，有較強(qiáng)的統(tǒng)計(jì)和分析能力，能適應(yīng)潔凈室工作環(huán)境，能適應(yīng)團(tuán)隊(duì)合作工作，工作認(rèn)真勤懇、能吃苦耐勞，項(xiàng)目管理能力，強(qiáng)烈的學(xué)習(xí)意愿，熟練使用辦公軟件。

八、刻蝕工藝工程師

【任職要求】：

1、基于平臺(tái)的新機(jī)臺(tái)進(jìn)行工藝調(diào)試，并開(kāi)發(fā)刻蝕工藝，包括半導(dǎo)體刻蝕工藝、介質(zhì)層刻蝕工藝和金屬刻蝕工藝等；

2、工藝異常調(diào)查與處理、現(xiàn)場(chǎng)工藝日常維護(hù)及SPC日常監(jiān)控管理；

3、進(jìn)行新工藝開(kāi)發(fā)和老工藝優(yōu)化，獨(dú)立完成工藝驗(yàn)證報(bào)告、開(kāi)發(fā)報(bào)告、異常報(bào)告和SPC分析報(bào)告；

4、制定工藝規(guī)范文件，對(duì)相應(yīng)設(shè)備操作人員進(jìn)行技能培訓(xùn)；

5、參與團(tuán)隊(duì)的課題和項(xiàng)目，完成相應(yīng)的工藝開(kāi)發(fā)和器件流片實(shí)驗(yàn)；

6、參與工藝代工，完成客戶(hù)工藝加工目標(biāo)和指標(biāo)要求；

7、協(xié)助團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人完成其他工作。

【崗位職責(zé)】：

1、專(zhuān)業(yè)：半導(dǎo)體、微電子、電氣工程、物理、化學(xué)或相關(guān)專(zhuān)業(yè)；

2、學(xué)歷：本科及以上；

3、經(jīng)驗(yàn)：行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)2年及以上，具備功率器件行業(yè)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先，技能、經(jīng)驗(yàn)優(yōu)秀者不限制專(zhuān)業(yè)；

4、其他：了解晶圓制造工藝，有較強(qiáng)的統(tǒng)計(jì)和分析能力，能適應(yīng)潔凈室工作環(huán)境，能適應(yīng)團(tuán)隊(duì)合作工作，工作認(rèn)真勤懇、能吃苦耐勞，項(xiàng)目管理能力，強(qiáng)烈的學(xué)習(xí)意愿，熟練使用辦公軟件。

九、EHS工程師

【任職要求】：

1、負(fù)責(zé)研究院EHS體系統(tǒng)的建設(shè)和維護(hù)運(yùn)行工作，制訂EHS目標(biāo)和改進(jìn)計(jì)劃，對(duì)作現(xiàn)場(chǎng)及工序的進(jìn)行危險(xiǎn)因因素識(shí)別、檢驗(yàn)，編制審核報(bào)告初稿，有效評(píng)估和控制潛在危險(xiǎn)。

2、負(fù)責(zé)員工健康保證體系建設(shè)，包括職業(yè)病預(yù)防，員工體檢等，維護(hù)和實(shí)施個(gè)人安全防護(hù)用品。

3、負(fù)責(zé)安全檢查和審核，追蹤整改措施，具備策劃、指導(dǎo)安全管理工作的能力。

4、危廢物品的管理體系建設(shè)，監(jiān)督確保相關(guān)部門(mén)廢水、廢氣、噪音達(dá)標(biāo)排放，固體危險(xiǎn)廢棄物合規(guī)處理及勞動(dòng)用品配置、更新及使用監(jiān)督,建立出入庫(kù)臺(tái)賬。

5、負(fù)責(zé)對(duì)員工進(jìn)行相關(guān)培訓(xùn)，定期組織消防演練。

6、負(fù)責(zé)建立包括國(guó)家、地方相關(guān)EHS法律法規(guī)的資料庫(kù)并定期更新。

【崗位職責(zé)】：

1、安全、化工、環(huán)保等相關(guān)專(zhuān)業(yè)本科，2年以上工作經(jīng)驗(yàn)。

2、了解EHS相關(guān)知識(shí)，熟悉相關(guān)法律、法規(guī)，精通EHS體系運(yùn)行管理，有注冊(cè)安全工程師（化工類(lèi)）證書(shū)者優(yōu)先考慮。

3、經(jīng)驗(yàn)豐富者可降低學(xué)歷要求。

4、有大中型半導(dǎo)體工廠管理工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。

十、平臺(tái)運(yùn)營(yíng)部設(shè)備工程師

設(shè)備工程師011名

【崗位職責(zé)】：

1、負(fù)責(zé)設(shè)備日常點(diǎn)檢與定期維護(hù)；

2、參與設(shè)備的安裝、調(diào)試、驗(yàn)收工作；

3、設(shè)備SOP文件編寫(xiě)，以及相關(guān)資料報(bào)告的編寫(xiě)和更新；

4、設(shè)備使用人員的技術(shù)培訓(xùn)、安全教育；

5、封裝工藝過(guò)程開(kāi)發(fā)的設(shè)備支持；

6、負(fù)責(zé)功率器件/模塊的封裝材料優(yōu)化及其相應(yīng)設(shè)備管理與運(yùn)維；回流焊、引線鍵合、燒結(jié)和灌封等主要工藝及其設(shè)備管理與運(yùn)維；

7、完成領(lǐng)導(dǎo)安排的其它工作。

【任職要求】：

1、年齡35周歲以下；

2、全日制本科及以上，機(jī)械、機(jī)電、電氣自動(dòng)化等相關(guān)專(zhuān)業(yè)，英語(yǔ)4級(jí)；

3、有半導(dǎo)體封裝廠相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)；

4、工作積極主動(dòng)，具有強(qiáng)烈的責(zé)任心、有良好的溝通與協(xié)調(diào)能力，有良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神；

5、熟悉半導(dǎo)體封裝流程及工藝等相關(guān)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；

6、身體素質(zhì)良好，視力視覺(jué)良好。

設(shè)備工程師021名

【崗位職責(zé)】：

1、負(fù)責(zé)設(shè)備日常點(diǎn)檢與定期維護(hù)；

2、參與設(shè)備的安裝、調(diào)試、驗(yàn)收工作；

3、設(shè)備SOP文件編寫(xiě)，以及相關(guān)資料報(bào)告的編寫(xiě)和更新；

4、設(shè)備使用人員的技術(shù)培訓(xùn)、安全教育；

5、配合工藝，完成新工藝開(kāi)發(fā)，以及測(cè)試驗(yàn)證；

6、完成領(lǐng)導(dǎo)安排的其它工作。

【任職要求】：

1、年齡35周歲以下；

2、全日制本科及以上，機(jī)械、機(jī)電、電氣自動(dòng)化等相關(guān)專(zhuān)業(yè)，英語(yǔ)4級(jí)；

3、有電子行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗(yàn)或者機(jī)電行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗(yàn)；

4、工作積極主動(dòng)，具有強(qiáng)烈的責(zé)任心、有良好的溝通與協(xié)調(diào)能力，有良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神；

5、有可靠性測(cè)試經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先，掌握CAD/solidworks等軟件者優(yōu)先；

6、身體素質(zhì)良好，視力視覺(jué)良好。

十一、電氣硬件工程師（電氣硬件研發(fā)方向）

工作年限：3年及以上

所屬部門(mén)：雙碳與智慧新能源研究室

學(xué)歷：碩士及以上

專(zhuān)業(yè)方向：電氣工程、半導(dǎo)體、自動(dòng)化、新能源等

崗位職責(zé)：

1、能夠根據(jù)要求完成相關(guān)電路的硬件設(shè)計(jì)，包括電氣原理圖、PCB的設(shè)計(jì)、器件選型及功能實(shí)現(xiàn)；

2、能夠完成AC/DC、DC/DC等相關(guān)電路的原理設(shè)計(jì)、調(diào)試、測(cè)試等工作；

3、編制硬件電路設(shè)計(jì)文檔及樣機(jī)測(cè)試檢驗(yàn)文檔，能夠協(xié)助開(kāi)展相關(guān)課題研究；

4、負(fù)責(zé)實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備的常規(guī)操作和日常維護(hù)；

5、完成領(lǐng)導(dǎo)安排的其它工作。

任職要求：

1、碩士及以上學(xué)歷，電氣工程、半導(dǎo)體、自動(dòng)化、新能源等相關(guān)專(zhuān)業(yè)；

2、電氣及相關(guān)行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)3年及以上，具有硬件電路調(diào)試經(jīng)驗(yàn)，熟悉PCB繪制者優(yōu)先；

3、熟悉硬件電路的整機(jī)硬件調(diào)試，具有相關(guān)項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；

4、責(zé)任心強(qiáng)，工作積極，良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)，樂(lè)于學(xué)習(xí)新技術(shù)，有較強(qiáng)的動(dòng)手能力。

崗位待遇：

錄用人員待遇具體面議，按照相關(guān)規(guī)定從優(yōu)確定。

十二、智慧能源工程師（EMS等軟件平臺(tái)開(kāi)發(fā)方向）

工作年限：3年及以上

所屬部門(mén)：雙碳與智慧新能源研究室

學(xué)歷：碩士及以上

專(zhuān)業(yè)方向：電氣工程、半導(dǎo)體、自動(dòng)化、新能源等

崗位職責(zé)：

1、開(kāi)展源網(wǎng)荷儲(chǔ)綜合能源系統(tǒng)的仿真分析工作；

2、參與微電網(wǎng)、虛擬電廠綜合控制軟件的開(kāi)發(fā)等工作；

3、能夠協(xié)助參與新能源與電力電子化電力系統(tǒng)相關(guān)課題的研究工作；

4、完成領(lǐng)導(dǎo)安排的其它工作。

任職要求：

1、碩士及以上學(xué)歷，電氣工程、新能源、自動(dòng)化等相關(guān)專(zhuān)業(yè)；

2、電氣控制及相關(guān)行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)3年及以上，熟悉工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)通訊協(xié)議、嵌入式控制器等優(yōu)先；

3、具有微電網(wǎng)控制系統(tǒng)、配網(wǎng)自動(dòng)化管理系統(tǒng)等軟件系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；

4、熟悉新能源相關(guān)領(lǐng)域，擁有能源電力行業(yè)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；

5、責(zé)任心強(qiáng)，工作積極主動(dòng)，踏實(shí)勤奮，良好的服務(wù)意識(shí)和團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)，樂(lè)于學(xué)習(xí)新技術(shù)，具有良好的溝通表達(dá)和項(xiàng)目執(zhí)行及管理能力者優(yōu)先。

崗位待遇：

錄用人員待遇具體面議，按照相關(guān)規(guī)定從優(yōu)確定。

十三、申請(qǐng)方式

1、申請(qǐng)青年人才者填寫(xiě)附件《青年人才卓越計(jì)劃申報(bào)表》；

2、申請(qǐng)博士后人員請(qǐng)?zhí)顚?xiě)附件《浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心博士后研究人員崗位申請(qǐng)表》；

3、表明研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果（如：獲獎(jiǎng)情況、鑒定、項(xiàng)目、學(xué)術(shù)論文等）及佐證材料；

4、博士學(xué)位論文；

5、個(gè)人簡(jiǎn)歷及其他相關(guān)證明材料。

申請(qǐng)人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心指定郵箱：hic@zju.edu.cn，郵件主題以"應(yīng)聘平臺(tái)+應(yīng)聘崗位+姓名 "命名。

十四、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：王老師

聯(lián)系電話(huà)：0571-82359121

地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號(hào) 

為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱(chēng)+姓名+學(xué)歷+專(zhuān)業(yè)+中國(guó)博士人才網(wǎng)）