一、課題組簡(jiǎn)介：

功率芯片研究室是以浙大電氣工程學(xué)院盛況教授團(tuán)隊(duì)為核心成立的，是國(guó)內(nèi)高校中較早開展寬禁帶半導(dǎo)體功率芯片研究的團(tuán)隊(duì)之一，研究方向包括碳化硅功率芯片、超寬禁帶半導(dǎo)體功率芯片、先進(jìn)散熱、封裝與應(yīng)用等，碳化硅功率芯片小組負(fù)責(zé)人為浙大電氣工程學(xué)院任娜研究員。2020年研究室建設(shè)完成一條國(guó)際先進(jìn)的6吋碳化硅功率芯片專用工藝線，承擔(dān)了碳化硅功率芯片領(lǐng)域的多個(gè)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金、浙江省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目，并與企業(yè)成立了碳化硅功率器件技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。

盛況教授，國(guó)家杰出青年基金獲得者，浙江大學(xué)求是特聘教授，博士生導(dǎo)師現(xiàn)任浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)。盛教授長(zhǎng)期從事硅和寬禁帶半導(dǎo)體功率芯片、封裝及應(yīng)用研究，包括芯片設(shè)計(jì)與工藝、器件封裝與測(cè)試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、各類電源等領(lǐng)域中的應(yīng)用，2009年回國(guó)創(chuàng)建浙江大學(xué)電力電子器件實(shí)驗(yàn)室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國(guó)內(nèi)較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團(tuán)隊(duì)。

任娜研究員，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘研究員、博士生導(dǎo)師，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心雙聘學(xué)者、青年卓越人才計(jì)劃入選者，長(zhǎng)期從事碳化硅功率器件的相關(guān)研究，包括器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝制造、芯片研制、抗輻射可靠性加固等方向。在器件領(lǐng)域國(guó)際知名期刊與會(huì)議上共發(fā)表70余篇論文，擁有20余項(xiàng)碳化硅功率器件領(lǐng)域的發(fā)明專利，并獲得首屆浙江省知識(shí)產(chǎn)權(quán)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)。

二、研究方向：

1.碳化硅MOSFET器件：碳化硅平面柵MOSFET、碳化硅溝槽柵MOSFET、關(guān)鍵工藝制造技術(shù)、大電流芯片研制技術(shù)；

2.新型碳化硅功率器件：碳化硅浮空結(jié)/超級(jí)結(jié)器件、碳化硅功率集成器件、高壓大功率碳化硅器件；

3.碳化硅功率器件輻射效應(yīng)與抗輻射加固：碳化硅功率器件輻射效應(yīng)機(jī)理、抗輻射加固結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與工藝制造方法。

三、博士后招聘條件及要求：

1．具有微電子、電氣、信電、光電、材料等相關(guān)專業(yè)研究背景。

2．近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位或入職前可以獲得博士學(xué)位，以第一作者發(fā)表過(guò)SCI文章。

3．對(duì)科研工作有濃厚的興趣，有較強(qiáng)科研素養(yǎng)和英文讀寫能力。

4．具備較強(qiáng)的獨(dú)立科研能力、良好的敬業(yè)精神和團(tuán)隊(duì)合作精神。

5．年齡在35周歲及以下，身心健康，可全職從事博士后研究工作。

四、職業(yè)發(fā)展與薪酬待遇：

1．具體面議，同時(shí)可享受地方政府免稅人才補(bǔ)助15萬(wàn)元/年（外籍人才可享受17.5萬(wàn)元/年。）；應(yīng)屆博士畢業(yè)生，符合條件者可額外享受10萬(wàn)元杭州市應(yīng)屆生人才補(bǔ)貼。

2．提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件，共享浙江大學(xué)頂尖學(xué)術(shù)生態(tài)體系。

3．提供專項(xiàng)科研經(jīng)費(fèi)支持；對(duì)獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的，分別給予相應(yīng)配套資助和獎(jiǎng)勵(lì)；對(duì)生源優(yōu)秀或取得標(biāo)志成果的博士后，給予額外獎(jiǎng)勵(lì)（相關(guān)獎(jiǎng)勵(lì)可疊加）。

4．符合條件的，可申報(bào)博士后海外引才專項(xiàng)，享受三年生活補(bǔ)助和安家費(fèi)相關(guān)政策。

5．表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績(jī)突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請(qǐng)科創(chuàng)中心青年人才、技術(shù)研發(fā)等崗位。

6．在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬(wàn)人才補(bǔ)貼。

7．出站后留杭或蕭山工作的，可申請(qǐng)杭州市D類人才或蕭山區(qū)政府相應(yīng)人才政策。

8．符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策。

9．協(xié)助解決子女教育入學(xué)、辦理落戶、政府人才配套用房申請(qǐng)、人才項(xiàng)目申報(bào)、人才認(rèn)定等。

10．提供一流的科研條件和博士后聯(lián)誼會(huì)交流平臺(tái)，享受園區(qū)一站式保障服務(wù)，如食堂、健身房、體育館等。

五、應(yīng)聘方式:

1．提供詳細(xì)的個(gè)人簡(jiǎn)歷，以及表明研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果（如：學(xué)術(shù)論文、項(xiàng)目、獲獎(jiǎng)情況等）及佐證材料。

2．應(yīng)聘者請(qǐng)將材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱：hic@zju.edu.cn，或先進(jìn)半導(dǎo)體研究院郵箱：ldl1125@zju.edu.cn,附件和郵件主題均以“功率芯片研究室+博士后+姓名 ”標(biāo)明。 

應(yīng)聘者的申請(qǐng)材料將嚴(yán)格保密，初審?fù)ㄟ^(guò)者將安排面試。

為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國(guó)博士人才網(wǎng)）