功能薄膜與界面研究部因科研工作需要，現(xiàn)招聘科研人員1名，具體要求如下：
一、崗位描述：
從事氮化鎵相關材料研究
二、應聘條件：
1、半導體材料或半導體物理專業(yè)背景，具有博士學位；年齡35周歲以下；
2、具有III-V氮化物光電功能薄膜的制備及與光電性能測試等方面研究背景（有GaN晶體生長和HVPE使用研究經驗者優(yōu)先考慮）；
3、在國外核心期刊發(fā)表論文3篇以上或申請過國家發(fā)明專利；
4、具有很強的獨立工作能力；工作踏實、主動性強；
5、具有較強的團隊協(xié)作精神和良好的溝通能力。
三、報名要求：
請有意競聘者提交個人簡歷，郵件主題注明“應聘-科研人員”簡歷名稱填寫為“姓名-學校-專業(yè)-學位-畢業(yè)時間（X年X月）”。
簡歷接收截止日期：2014年12月31日。
聯(lián)系人：劉寶丹郵箱：baodanliu@imr.ac.cn
一、崗位描述：
從事氮化鎵相關材料研究
二、應聘條件：
1、半導體材料或半導體物理專業(yè)背景，具有博士學位；年齡35周歲以下；
2、具有III-V氮化物光電功能薄膜的制備及與光電性能測試等方面研究背景（有GaN晶體生長和HVPE使用研究經驗者優(yōu)先考慮）；
3、在國外核心期刊發(fā)表論文3篇以上或申請過國家發(fā)明專利；
4、具有很強的獨立工作能力；工作踏實、主動性強；
5、具有較強的團隊協(xié)作精神和良好的溝通能力。
三、報名要求：
請有意競聘者提交個人簡歷，郵件主題注明“應聘-科研人員”簡歷名稱填寫為“姓名-學校-專業(yè)-學位-畢業(yè)時間（X年X月）”。
簡歷接收截止日期：2014年12月31日。
聯(lián)系人：劉寶丹郵箱：baodanliu@imr.ac.cn
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網）
中國-博士人才網發(fā)布
聲明提示：凡本網注明“來源：XXX”的文/圖等稿件，本網轉載出于傳遞更多信息及方便產業(yè)探討之目的，并不意味著本站贊同其觀點或證實其內容的真實性，文章內容僅供參考。
